Содержание
Samsung переработала сеть питания в памяти HBM4E, чтобы снизить дефекты и уменьшить просадки напряжения. Компания заявляет о падении дефектов металлических цепей на 97% и улучшении IR drop на 41% по сравнению с HBM4.
Повод понятный: в HBM следующего поколения растёт плотность всего, что связано с питанием. Две недели назад Samsung отправила первые коммерческие партии HBM4. По данным компании, память уже держит 11,7 Гбит/с стабильно. И у неё есть запас до 13 Гбит/с.
Почему HBM4E упёрлась в питание
Переход от HBM4 к HBM4E увеличивает число силовых bump-контактов. Их становится 14 457 вместо 13 682. И всё это в том же физическом пространстве. Проводники при этом делают тоньше и плотнее.
Так растёт плотность тока и сопротивление. Напряжение «проседает» по пути по металлу. Это и есть IR drop. А тепло от потерь ещё сильнее ухудшает картину. Получается замкнутый круг. Он бьёт по стабильности и скорости. В худшем случае доходит до отказов цепей.
Что Samsung поменяла в HBM4E
Samsung пошла не в «ещё толще и шире», а в сегментацию. Раньше на base die стоял большой централизованный блок питания MET4. Его раскладывали крупными «сотами» ближе к интерпозеру. Теперь этот блок разделили на четыре меньших секции.
И на верхних слоях сеть питания тоже «нарезали» сильнее. Цель простая: меньше заторов в трассировке и короче маршруты. По заявлению Samsung, это и дало два ключевых эффекта:
- Дефекты металлических цепей: -97% относительно HBM4
- IR drop: лучше на 41%
Для HBM это не косметика. Дополнительный запас по напряжению напрямую помогает держать частоты выше. И снижает риск деградации под нагрузкой.
Samsung также изучает разнос HBM и GPU по разным зонам
Параллельно Samsung смотрит на более радикальную идею. Физически отделить стеки HBM от GPU. Смысл в том, чтобы упростить тепловой режим. Когда всё «в куче», тепло от GPU и памяти мешает друг другу.
Проблема очевидная: расстояние растёт, а медь быстро упирается в задержки и пропускную способность. Один из вариантов — фотонные интерконнекты. Это оптика, которая теоретически даёт терабитные скорости. Samsung описывает это как порядок до 1 000 раз быстрее меди, чтобы компенсировать дистанцию.
Есть и более «приземлённый» путь. Samsung отдельно упоминает, что прогресс в проводке на подложках может позволить разнести HBM и GPU более чем на 5 см, даже без оптики. Это напрямую помогает с термопакетом в плотных AI-ускорителях.
Сравнение HBM4 и HBM4E по узкому месту
В этой истории важно, что Samsung сравнивает именно HBM4 и HBM4E, а не абстрактные «прошлые поколения». У HBM4E нагрузка на питание выше из-за роста числа силовых контактов при той же площади. Поэтому и эффект от переделки сети питания компания формулирует в цифрах относительно HBM4.
| Параметр | HBM4 | HBM4E |
|---|---|---|
| Силовые bump-контакты | 13 682 | 14 457 |
| Изменения в питании | Блок MET4 крупными секциями | MET4 разделили на 4 секции, верхние слои дробнее |
| Эффект по дефектам металла | База для сравнения | -97% к HBM4 |
| Эффект по IR drop | База для сравнения | +41% к HBM4 |
Что это говорит о зрелости HBM4E
На момент 3 марта 2026 года речь идёт именно об инженерной переработке и результатах по качеству и питанию. Коммерческих поставок HBM4E Samsung в этих данных не называет. Но компания уже отгрузила первые коммерческие партии HBM4, и это задаёт темп перехода.
Если заявленные -97% по дефектам подтвердятся в массовом производстве, это снимет одно из самых неприятных ограничений для AI-ускорителей: стабильность питания на сверхплотной упаковке. А идеи с разносом HBM и GPU показывают, что индустрия всерьёз ищет выход из «термокоробки» современных модулей.
Ссылки по теме: TrendForce, Hankyung
