Содержание
Samsung планирует перевести логический базовый кристалл памяти HBM4E на техпроцесс 2 нм. Речь про основание стека HBM, которое отвечает за питание и сигналы, а в поколении HBM4 уже берёт на себя часть вычислений.
Параллельно компания переделывает схему питания HBM4E. Цель простая: выдержать рост числа контактных «бампов» питания с 13 682 до 14 457 при том же физическом «футпринте».
Почему 2 нм в базе HBM4E теперь имеют значение
До HBM3 базовый кристалл внизу стека был почти «пассивным». Он в основном раздавал питание и управлял сигналами между DRAM-слоями и внешним миром.
С переходом на HBM4 роль базы стала активнее: часть вычислительных задач уходит прямо в логику под стеком. Поэтому техпроцесс базы начинает влиять не только на площадь, но и на энергопотребление и тепловой режим.
Для HBM4 у Samsung уже было заметное преимущество. Компания использовала 4-нм логические base die собственного производства и сочетала их с DRAM поколения 1c. У конкурентов, по этим же данным, base die опирались на 12 нм (N12) от TSMC для решений SK hynix.
Переход на 2 нм в HBM4E должен расширить этот зазор. В первую очередь за счёт лучшей энергоэффективности, тепла и более плотной компоновки логики на той же площади.
Гонка за кастомной HBM4E: что делают TSMC и SK hynix
Следующее поле боя — кастомная HBM4E, то есть варианты памяти под конкретных заказчиков и ускорители. TSMC уже обозначила план: использовать 3-нм техпроцесс для кастомных base die HBM4E. SK hynix тоже готовит собственный вариант.
На этом фоне ставка Samsung на 2 нм выглядит как попытка удержать лидерство именно в техпроцессе логической части HBM. И это не абстрактная «гонка нанометров»: base die становится сложнее, а требования по питанию и теплу растут вместе с мощностью ускорителей.
Сроки HBM4E и роль фабрики Samsung в Техасе
По текущему графику стандартная HBM4E ожидается в середине 2026 года. А tape-in кастомных продуктов намечен на вторую половину 2026 года.
У этой истории есть и производственная сторона. Выпуская base die внутри компании, Samsung Foundry повышает загрузку фабрик. А 2-нм узел должен стать одним из ключевых для наращивания производства на площадке Taylor (Texas), где уже идёт установка оборудования.
Целевой ориентир по этой фабрике конкретный: первый tape-in пластин в Taylor Samsung планирует выполнить до конца 2026 года.
Ссылка по теме: Business Korea
