Процессоры Snapdragon X2 Elite Extreme и Snapdragon X2 Elite были анонсированы как первые процессоры 3 нм от Qualcomm для ноутбуков, призванные обеспечить беспрецедентную производительность портативных компьютеров. Топовая 18-ядерная система на чипе способна достигать частоты до 5 ГГц на одном или двух ядрах. Примечательно, что в официальном анонсе компания из Сан-Диего не уточнила, используют ли её чипы 3 нм техпроцесс TSMC N3E или более новый N3P.
Однако свежий отчёт принёс неожиданные новости: Snapdragon X2 Elite Extreme изготавливается с применением техпроцесса 3 нм N3X. Эта литография разрабатывалась с прицелом на максимально возможную производительность, но такой подход влечёт за собой ряд компромиссов, о которых говорится ниже.
Подробный анализ от Moor Insights & Strategy раскрывает ряд интересных характеристик Snapdragon X2 Elite Extreme. Ранее сообщалось, что новейшая SoC Qualcomm использует подход SiP (System-in-Package), при котором несколько схем и компонентов, таких как оперативная память, накопители и другие элементы, объединяются в одном корпусе.
Это похоже на унифицированную архитектуру памяти Apple: микросхемы памяти располагаются близко к кристаллу процессора, что обеспечивает повышенную пропускную способность. Именно поэтому самая производительная версия Snapdragon X2 Elite Extreme достигает 228 ГБ/с, превосходя M5, но уступая M4 Pro с пропускной способностью памяти 273 ГБ/с.
Что касается техпроцесса, в отчёте указано, что Snapdragon X2 Elite Extreme использует техпроцесс 3 нм N3X, и это первый случай, когда коммерческий чипсет отказался от литографии TSMC 3 нм N3P. Чип содержит 31 млрд транзисторов, а ориентированный на высокопроизводительные вычисления производственный процесс обеспечивает прирост производительности на 5% по сравнению с 3 нм N3P.
«Если рассматривать платформу в целом, чип Qualcomm X2 Elite Extreme представляет собой максимальные усилия компании по обеспечению наивысшей производительности в этом поколении. Например, 192-битная шина памяти, 128 ГБ оперативной памяти и ОЗУ со скоростью 9 523 MT/с обеспечивают до 228 ГБ/с пропускной способности, что исключает память как узкое место. Кроме того, чип производится по техпроцессу TSMC N3X и содержит более 31 млрд транзисторов».
Snapdragon X2 Elite Extreme также рассчитан на работу при напряжениях выше 1,0 В, что позволяет достигать более высоких тактовых частот и производительности, но за счёт меньшей плотности и энергоэффективности по сравнению с 3 нм N3P. К сожалению, несмотря на преимущества 3 нм N3X, флагманский чип Qualcomm всё равно уступает Apple M4 Max в одноядерных и многоядерных тестах Cinebench 2024.
Snapdragon X2 Elite Extreme способен потреблять более 100 Вт при отсутствии ограничений и стабильно работать на уровне 40 Вт в определённых корпусах ноутбуков, поэтому полученные результаты выглядят разочаровывающими. Ещё одной областью, где Snapdragon X2 Elite Extreme проигрывает, является графика: M4 Pro оказывается до 45% быстрее в синтетических графических бенчмарках, таких как 3DMark Steel Nomad Light Unlimited и 3DMark Solar Bay Unlimited.
На данный момент переход Qualcomm на техпроцесс 3 нм N3X не принёс тех дивидендов, на которые рассчитывала компания. Впрочем, пока мы видели лишь результаты нескольких тестов, которые не раскрывают полной картины возможностей Snapdragon X2 Elite Extreme. В дальнейшем могут появиться более показательные результаты.
