HBM4E Samsung готовят к поставкам со скоростью 16 Гбит/с на контакт. Это подтвердил Sangwook Han из Samsung на конференции Hot Chips 2026.
Для рынка AI-ускорителей и больших GPU это не красивая цифра в презентации. При 2048 линиях на стек такая память выходит на 4 ТБ/с пропускной способности. Один стек. Не вся подсистема памяти.
HBM4E уходит от 14 к 16 Гбит/с на контакт
Samsung уже поставляет HBM4E со скоростью 14 Гбит/с на контакт с конца мая 2026 года. Новая планка в 16 Гбит/с показывает, что компания наращивает частоты без смены базовой логики стека.
Разница хорошо видна в сухих цифрах. При 14 Гбит/с и 2048 контактах один стек даёт до 3,6 ТБ/с. При 16 Гбит/с максимум растёт до 4 ТБ/с. Для одного чиплета памяти это уровень, о котором владельцы обычных игровых ПК могут только читать в новостях.
| Память | Скорость на контакт | Шина стека | Пиковая пропускная способность |
|---|---|---|---|
| Samsung HBM4 | 11,7 Гбит/с | не уточняется | не уточняется |
| Samsung HBM4E | 14 Гбит/с | 2048 контактов | до 3,6 ТБ/с |
| Samsung HBM4E | 16 Гбит/с | 2048 контактов | до 4 ТБ/с |
На практике такие стеки ставят не по одному. В крупном AI-ускорителе или GPU может быть около дюжины стеков HBM. Если считать от пика 4 ТБ/с, конфигурация из 12 стеков выходит на теоретические 48 ТБ/с.
Это не значит, что каждый ускоритель с HBM4E сразу получит такие параметры. Итог зависит от числа стеков, корпуса, контроллера памяти и требований заказчика. Но потолок для разработчиков чипов Samsung уже обозначила.
Плотность стеков: 32, 48 и 64 ГБ
Сейчас Samsung предлагает HBM4E в 12-слойной конфигурации, то есть 12-high, с плотностью 48 ГБ на стек. В планах также 8-слойные стеки на 32 ГБ и 16-слойные стеки на 64 ГБ.
Такой разброс нужен не для витрины. Разным ускорителям важны разные балансы между объёмом, ценой, энергопотреблением и сложностью упаковки. Где-то заказчику хватит 32 ГБ на стек, а где-то придётся собирать максимум плотности.
- 8-high: 32 ГБ на стек
- 12-high: 48 ГБ на стек, этот вариант Samsung уже предлагает
- 16-high: 64 ГБ на стек
Сама DRAM-часть использует техпроцесс шестого поколения класса 10 нм. Затем кристаллы укладывают слоями, как и положено HBM. Базовый кристалл Samsung делает отдельно на 4-нм узле SF4.
Этот base die важен для интеграции в разные корпуса. Современные ускорители всё чаще собирают как набор специализированных кристаллов рядом с памятью. Чем гибче базовый кристалл HBM, тем проще подстроить стек под конкретный GPU или AI-ускоритель.
Снимок с упоминанием доклада опубликовал инсайдер Jukan в X. Samsung указала параметры HBM4E в предварительной программе Hot Chips 2026, опубликованной 24 августа 2026 года.
