Содержание
HBM3E у CXMT дошла до риск-производства: китайский производитель памяти запустил выпуск первых партий перед серией. Об этом пишет The Information, а сама новость важна не только для рынка ИИ-ускорителей, но и для обычной DRAM.
Речь пока не про массовые поставки. Риск-производство — это этап, где фабрика проверяет техпроцесс, выход годных кристаллов и упаковку. Для HBM это особенно болезненный участок: память собирают в вертикальные стеки, а один дефектный слой может испортить весь модуль.
Для CXMT это серьезная отметка на карте. Южнокорейские производители уже постепенно переходят к HBM4E, поэтому китайская индустрия отстает примерно на два поколения. Но сам факт запуска HBM3E показывает, что разрыв в передовой памяти сокращается.
Риск-производство HBM3E — пока малые объемы
CXMT начала выпуск HBM3E в очень небольших количествах, поэтому говорить о доступности для крупных клиентов рано. Такой запуск нужен, чтобы проверить стабильность процесса и подготовить фабрику к серийному производству.
У CXMT есть репутация компании, которая быстро проходит путь от пробных партий к массовому выпуску. По данным The Information, переход к большим объемам может занять всего несколько недель. Но точные сроки зависят от выхода годных чипов и готовности упаковки HBM.
Спецификации памяти CXMT пока не раскрыли. Поэтому сейчас лучше держаться за стандарт JEDEC, а не за догадки. Он задает понятные рамки для HBM3E и помогает оценить уровень продукта.
Параметры HBM3E по JEDEC: до 1,2 ТБ/с на стек
Стандартная HBM3E использует шину 1024 бита и работает на скоростях от 9,2 до 12,4 Гбит/с на контакт. Большая часть типовых конфигураций ориентируется на 9,6 Гбит/с, что дает около 1,2 ТБ/с пропускной способности на стек.
- 24 ГБ: стек 8-hi на кристаллах по 24 Гбит
- 36 ГБ: стек 12-hi на кристаллах по 24 Гбит
- Ширина шины: 1024 бита для одного стека HBM3E
- Скорость: от 9,2 до 12,4 Гбит/с на контакт
HBM нужна не для настольных ПК в привычном смысле. Ее покупают производители ИИ-ускорителей, серверных GPU и специализированных вычислителей. Там важны ширина шины, плотность и пропускная способность рядом с кристаллом процессора.
И тут есть неприятный момент для рынка обычной оперативной памяти. Один стек HBM забирает сразу несколько DRAM-кристаллов. Если спрос на HBM продолжит расти, часть пластин уйдет в дорогую память для ускорителей, а не в массовые DDR5-модули.
Фабрики CXMT уже дают около 200 тысяч пластин в месяц
CXMT сейчас работает с несколькими площадками, включая две 12-дюймовые фабрики в Хэфэе и Пекине. Каждая выдает около 100 тысяч DRAM-пластин в месяц, то есть текущая суммарная мощность близка к 200 тысячам пластин.
К концу года компания планирует выйти примерно на 350 тысяч DRAM-пластин в месяц. В более дальнем плане — около 600 тысяч пластин, когда фабрики в Шанхае и Хэфэе завершат строительство и выйдут на полную загрузку.
Отдельный козырь CXMT — скорость строительства чистых помещений. Компания укладывается примерно в 12 месяцев, тогда как у многих конкурентов такой этап занимает около двух лет. Для рынка памяти это не мелочь: новые мощности тут часто важнее красивых презентаций.
Сколько из этих пластин CXMT отдаст под HBM, пока неизвестно. HBM3E требует сложной сборки и нескольких DRAM-кристаллов на один стек, поэтому рост мощностей не гарантирует избыток обычной DRAM на полках магазинов. Публикацию о запуске риск-производства The Information датирует 31 августа 2026 года.
