Содержание
Intel Foundry показала самый тонкий в мире GaN-чиплет: базовый слой кремния у него всего 19 мкм. Разработку представили как платформу для более компактных и эффективных силовых узлов в дата-центрах и сетевом оборудовании.
Речь про чиплет на 300-мм GaN-on-silicon пластинах. То есть нитрид галлия выращивают на кремнии, а дальше используют производственные подходы, близкие к привычным «кремниевым» линиям.
Что именно сделала Intel Foundry
Команда Intel Foundry продемонстрировала GaN-чиплет, у которого «подложка» из кремния после обработки становится толщиной 19 мкм. В Intel сравнивают это примерно с одной пятой толщины человеческого волоса.
Ключевой момент не только в толщине. Исследователи смогли объединить GaN-транзисторы и цифровые схемы управления на кремнии на одном кристалле и в одном производственном процессе. Это убирает необходимость в отдельном «компаньон-чиплете» для управления питанием и логикой.
- Толщина базового кремния: 19 мкм
- Тип пластин: 300 мм GaN-on-silicon
- Интеграция: GaN-транзисторы + цифровое управление на одном чипе
- Статус: прошли проверки надежности, заявлена готовность к требованиям реального применения
Зачем делать силовой чиплет настолько тонким
В силовой электронике размер и потери в цепях питания часто упираются в физику: чем дальше регулятор от потребителя, тем больше потерь на трассах и тем сложнее охлаждение. Intel прямо говорит про сценарий дата-центров: напряжение можно регулировать ближе к процессору, а значит снижать потери на длинных «плечах» питания.
GaN здесь интересен тем, что он быстрее переключается и теряет меньше энергии на переключениях, чем традиционные кремниевые решения. Это прямой путь к более компактным VRM и меньшим теплопотерям при высоких токах.
Почему GaN важен для 5G/6G и частот выше 200 ГГц
Intel также привязывает разработку к телеком-сценариям. По их данным, GaN-транзисторы могут эффективно работать на частотах свыше 200 ГГц. Это диапазоны сантиметровых и миллиметровых волн, которые рассматривают для сетей 5G и 6G следующего десятилетия.
Помимо базовых станций, в компании перечисляют и другие области, где нужен быстрый силовой ключ: радары, спутниковая связь и фотоника, где электрические переключения используют для модуляции света.
Надежность и совместимость с производством
Отдельно Intel подчеркивает результаты «жестких» испытаний: по итогам тестов платформа выглядит кандидатом на соответствие требованиям надежности для реальных продуктов. Детальные цифры по деградации и режимам в этом анонсе не раскрывают, но сам акцент на квалификацию важен: силовые компоненты редко «прощают» лабораторные трюки.
Еще один практичный момент: ставка на 300-мм пластины и GaN-on-silicon означает потенциальную совместимость с текущей инфраструктурой кремниевых фабрик. Это снижает порог внедрения по сравнению с экзотическими подложками и нестандартными диаметрами.
Работу Intel Foundry представили на 2025 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM); карточка сессии доступна на сайте конференции: 2025 IEEE IEDM.
Дополнительные технические детали Intel вынесла в публикацию в своем блоге: World’s thinnest GaN chiplet.
