Содержание
Samsung на NVIDIA GTC 2026 показала память HBM4E с заявленной скоростью 16 Гбит/с на вывод и пропускной способностью до 4,0 ТБ/с на один стек. Параллельно компания привезла на стенд PCIe Gen6 SSD и серверную память SOCAMM2 — всё под текущие и будущие AI-платформы NVIDIA.
HBM4 и HBM4E: что именно показала Samsung на GTC 2026
Центр экспозиции Samsung — шестое поколение HBM4, которое компания уже запустила в массовое производство. Эту память Samsung проектировала под платформу NVIDIA Vera Rubin (ссылка на описание платформы: NVIDIA Vera Rubin platform).
По данным Samsung, HBM4 даёт стабильную скорость 11,7 Гбит/с, что выше «индустриального стандарта» 8 Гбит/с. При этом Samsung отдельно говорит, что HBM4 можно разогнать до 13 Гбит/с.
Впервые на GTC компания отдельно демонстрировала и HBM4E — следующую итерацию. Для неё заявлены 16 Гбит/с на вывод и до 4,0 ТБ/с пропускной способности на стек.
48 ГБ на стек и прицел на Rubin Ultra
Показанная HBM4E в конфигурации 16-Hi (16 слоёв в стеке) даёт плотность 48 ГБ на один стек. Samsung прямо позиционирует эту память как решение, готовое под NVIDIA Rubin Ultra.
По озвученной логике Rubin Ultra берёт чип текущего поколения Rubin и «удваивает» его: речь о четырёх GPU-чиплетах и 16 площадках под HBM. Если использовать 16-Hi стеки по 48 ГБ, суммарная ёмкость HBM в таком ускорителе может достигать 384 ГБ.
С пропускной способностью картина ещё агрессивнее. При 16 Гбит/с на вывод и 16 стеках HBM4E теоретический потолок для Rubin Ultra оценивают в 64 ТБ/с суммарной пропускной способности памяти.
Для сравнения, для базового Rubin в тех же материалах приводят цифры 288 ГБ памяти HBM4 и до 22 ТБ/с пропускной способности. Разница по «ширине» памяти — почти трёхкратная.
Слои, тепло и медь: Samsung продвигает Hybrid Copper Bonding
Отдельно Samsung подсветила технологию Hybrid Copper Bonding (HCB). Это метод соединения слоёв, который должен помочь будущим HBM-стекам выходить на 16 и более слоёв и при этом снижать тепловое сопротивление более чем на 20% по сравнению с Thermal Compression Bonding (TCB).
Для HBM это не абстрактная инженерия. Чем выше слоистость и чем выше скорость на вывод, тем сложнее держать температуры и стабильность. Поэтому снижение теплового сопротивления — один из ключевых пунктов для «толстых» 16-Hi стеков.
Samsung также упомянула, что для HBM4 использует 10-нм класс DRAM-процесса 1c. Компания заявляет про «стабильные выходы годных» и высокий уровень производительности.
Параллельно с HBM на стенде показали и другие компоненты для AI-инфраструктуры: SOCAMM2 на базе low-power DRAM (Samsung говорит, что продукт уже в массовом производстве) и SSD PM1763 на интерфейсе PCIe 6.0. В демонстрациях накопителей Samsung упоминала работу на серверах с моделью программирования NVIDIA SCADA, а для платформы Vera Rubin — участие в эталонной архитектуре NVIDIA BlueField-4 STX для ускоренного хранилища.
Официальная презентация линейки на GTC 2026 опубликована у Samsung: showcased.
