Содержание
Intel получила господдержку в Японии для разработки ZAM (Z-Angle Memory) — нового стандарта памяти, который в компании рассматривают как замену HBM для ИИ и HPC. Проект Intel ведёт вместе с дочкой SoftBank, SAIMEMORY, а японская организация NEDO отобрала ZAM для финансирования и ускорения работ.
Ставка понятна: рынок упёрся в дефицит высокоскоростной памяти для ускорителей ИИ. Intel и партнёры пытаются снять сразу два ограничения — энергопотребление и плотность, не усложняя производство.
ZAM попала в программу NEDO и ускорит план разработки
Intel Kabushiki Kaisha (Intel K.K.) и SAIMEMORY сообщили, что NEDO выбрала ZAM как перспективный стандарт памяти следующего поколения. Это означает финансирование через государственные субсидии и ускорение дорожной карты, которую стороны описывают как 3,5-летний план.
По заявлению компаний, программа нацелена на устранение «узких мест» рынка, связанных с нехваткой памяти в сегментах ИИ и высокопроизводительных вычислений. Параллельно ZAM подключит сеть партнёров по технологиям, производству и цепочкам поставок — в Японии и за её пределами — чтобы довести разработку до коммерциализации в масштабе.
Сам проект ZAM Intel и SoftBank впервые публично описали в феврале 2026 года, когда компании прямо связали инициативу с продолжающимся «кризисом памяти» для ускорителей.
Что Intel обещает по характеристикам Z-Angle Memory
По техническому описанию Intel, ZAM нацелена на три вещи: ниже энергопотребление, проще конструкцию и высокую плотность. Компания заявляет 40-50% снижение энергопотребления и до 512 ГБ плотности на чип.
Конструкция выглядит так: каждый стек Z-Angle Memory собирают из плотно уложенных DRAM-микросхем. Их соединяют через Z-Angle interconnects. А сам стек подключают к основному вычислительному кристаллу через EMIB под базовым кристаллом.
- Цель по энергопотреблению: на 40-50% ниже
- Плотность: до 512 ГБ на чип
- Сборка стека: плотно уложенные DRAM IC
- Интерконнект: Z-Angle interconnects
- Подключение к чипу: через EMIB под base die
Для Intel это первый выход в память за десятилетия
Intel прямо называет ZAM своим первым продуктом памяти за несколько десятилетий. История тут с иронией: в ранние годы Intel была заметным игроком в производстве памяти, но позже уступила рынок японским вендорам. Сейчас же именно японские структуры и компании помогают довести ZAM до реальности.
Президент Intel K.K. Макото Оно связал текущий шаг с уже проделанной работой Intel: «Intel has spent years proving the science behind ZAM, from DOE national laboratories to our Next Generation DRAM Bonding initiative. We believe this award puts that work on a fast track to global deployment and strengthens the kind of U.S.-Japan technology partnership that will matter enormously in the years ahead.»
Публичное объявление о финансировании NEDO Intel Japan вынесла отдельным сообщением 24 апреля 2026 года.
Сообщение Intel о финансировании NEDO. Сайт SAIMEMORY.
