Содержание
Переход к техпроцессам ниже 1 нм упирается не только в новые сканеры, но и в химию. IBM и Lam Research объявили о пятилетнем сотрудничестве: компании хотят довести до практики High NA EUV-литографию через сухой резист Aether и сопутствующие процессы.
Работы пойдут на площадке IBM Research в NY Creates Albany NanoTech Complex (Олбани, штат Нью-Йорк). Цель формулируют прямолинейно: подготовить материалы и полный набор производственных шагов, чтобы масштабировать логические чипы дальше отметки 1 нм.
Чем эта коллаборация отличается от прошлых EUV-историй
IBM и Lam Research сотрудничают больше десяти лет. За это время они успели поучаствовать в разработке 7-нм процессов, в архитектуре транзисторов nanosheet и в ранней интеграции EUV в техпроцессы. В 2021 году IBM показывала то, что компания называла первым в мире чипом узла 2 нм — тоже на фоне этой связки.
Теперь фокус смещают с отдельных «кирпичиков» на проверку полных технологических маршрутов. В планах — валидация full flow для nanosheet и nanostack, а также внедрение backside power delivery на суб-1-нм узлах.
Сухой резист Aether: зачем он High NA EUV
Обычная EUV-литография опирается на chemically amplified resists. Это «мокрые» материалы, которые наносят спин-коутингом. На более жёстких допусках High NA EUV такие резисты начинают хуже держать форму рисунка и требования по шероховатости и точности.
Lam Aether идёт другим путём. Это dry resist: его осаждают из парофазных прекурсоров, а проявляют плазменными «сухими» процессами. По заявлению компаний, металлоорганические соединения Aether поглощают EUV-свет в 3-5 раз сильнее, чем традиционные углеродные резисты. Это снижает требуемую дозу экспозиции на проход и помогает удерживать single-print паттернинг на передовых узлах без дорогого мультипаттернинга.
У сухого подхода есть ещё один практичный плюс: меньше шагов между экспозицией и травлением. Значит, меньше шансов «размазать» рисунок на сверхплотной геометрии. В совместном заявлении как раз подчёркивают задачу: стабильно переносить High NA EUV-паттерны в реальные слои устройства с высоким выходом годных.
Какие процессы и платформы Lam Research пойдут в работу
Под эту программу IBM и Lam Research будут использовать конкретные производственные платформы Lam. Для травления заявлены Kiyo и Akara. Для осаждения — Striker и ALTUS Halo. И отдельно упоминают сам сухой резист Aether как ключевую часть цепочки.
Параллельно команды собираются отработать и схемотехнически важные штуки. Nanosheet-транзисторы наращивают ток за счёт стопки тонких кремниевых «листов», не раздувая площадь транзистора. А backside power delivery уводит питание на обратную сторону пластины. Это разгружает лицевую сторону под сигнальные линии и межсоединения.
Lam отдельно подсвечивала зрелость Aether и вне логики. В январе компания сообщала, что Aether выбрал «ведущий производитель памяти» как production tool of record для самых продвинутых DRAM-процессов. Название производителя Lam не раскрыла.
Формулировка партнёров звучит так: «Together, these capabilities are aimed at allowing High-NA EUV patterns to be reliably transferred into real device layers with high yield and enabling continued scaling, improved performance, and viable paths to production for future logic devices».
Источники: IBM, Lam Research
