Пока первые 2-нм чипы только выходят на рынок, TSMC уже закладывает фундамент под 1-нм техпроцесс. По данным DigiTimes, компания ведёт подготовку через расширение Longtan Phase III, но по срокам это история не на завтра: старт земельных процедур намечен на 2029 год, а массовый выпуск 1 нм ожидают не раньше 2030-2031.
Речь не про один экспериментальный цех. DigiTimes пишет о 12 заводах, которые сейчас находятся в стадии строительства. Эти площадки должны закрывать несколько «передовых» узлов, включая 2 нм и A14 (1,4 нм).
TSMC расширяет мощности под 2 нм, A14 и будущий 1 нм
Сейчас индустрия готовится к первой волне 2-нм решений, и большинство компаний, по данным DigiTimes, ориентируется на узлы N2 и N2P от TSMC. Но параллельно TSMC планирует следующий шаг — ниже 2 нм, вплоть до 1 нм.
Внутри этой стратегии важны две детали. Первая — масштаб стройки: 12 новых предприятий должны стать хабами для разных техпроцессов, включая 2 нм и A14 (1,4 нм). Вторая — горизонт планирования. Для 1 нм упоминается проект расширения Longtan Phase III, а земельные процедуры, как ожидается, начнутся только в 2029 году.
Из этого вытекает и реалистичный тайминг: массовое производство 1 нм, по оценке из публикации DigiTimes, вряд ли стартует раньше 2030 или 2031 года.
На TSMC давит спрос, на Samsung — выход годных кристаллов
DigiTimes также отмечает, что TSMC сейчас перестраивает ёмкости на фоне дефицита поставок и высокого спроса. Цель простая: успевать за заказами большого пула клиентов и не отдавать инициативу конкурентам.
Конкурент здесь очевиден: Samsung тоже публично нацелена на 1 нм и, как ожидается, хочет начать выпуск пластин на этом уровне в 2029 году. Более того, Samsung уже опередила TSMC по одному пункту — она раньше развернула 2-нм производство в США.
Но у Samsung остаётся системная проблема, которая и бьёт по доверию клиентов: стабильность yield, то есть доля годных чипов на пластине. В материале DigiTimes говорится, что даже при движении в сторону 2 нм компанию всё ещё воспринимают как «запасной вариант», а не как полноценную альтернативу TSMC. Там же упоминается, что Samsung, по этой причине, может дольше задержаться на 2 нм, чтобы довести выход годных кристаллов до приемлемого уровня и вернуть часть заказчиков.
Публикация DigiTimes привязывает старт земельных процедур по проекту Longtan Phase III к 2029 году, а окно массового производства 1 нм — к 2030-2031.
