Содержание
Samsung на FMS 2026 показала видение 3D-памяти для AI: zHBM над ускорителем, zNAND-O для edge-сценариев и V10 BV-NAND с более чем 400 слоями.
Главная мысль простая: память снова пытаются придвинуть ближе к вычислениям. В AI-серверах данные гоняют туда-сюда постоянно. Чем короче путь между ускорителем и памятью, тем меньше задержки и потери энергии.
Презентацию провели руководители Memory Business: Jin-Yub Lee, исполнительный вице-президент и глава Flash Product & Technology, и Kyungryun Kim, вице-президент и руководитель проекта в DRAM Design Team. Тема доклада звучала как «Driving the Wave of AI Revolution: 3D Innovations in Memory & Storage Architecture».
zHBM переносит память над AI-ускорителем
zHBM — это концепт, где стек HBM размещают не рядом с процессором, а вертикально над AI-ускорителем. Samsung уходит от привычной схемы с памятью сбоку от кристалла и делает ставку на более короткий маршрут данных.
По оценке Samsung, интерфейс следующего поколения с zHBM должен выдать примерно в 8 раз больше производительности, чем HBM5. Это не результат независимых тестов и не характеристика серийного продукта. Пока компания говорит о целевых параметрах архитектуры.
Цифры всё равно сильные. С wafer bonding zHBM должна получить более чем десятикратный рост плотности памяти относительно HBM5. Энергоэффективность обещают улучшить втрое, а тепловое сопротивление снизить более чем наполовину.
Для дата-центров это звучит не как красивая витрина, а как попытка закрыть реальную боль. Большие модели упираются не только в FLOPS ускорителей. Они упираются в пропускную способность, ёмкость памяти и теплоотвод.
Samsung добавляет ещё одну деталь: между памятью и AI-ускорителем можно будет интегрировать заказную IP-логику. Так клиенты смогут подгонять связку памяти и вычислений под свои чипы, а не брать один универсальный вариант.
V10 BV-NAND получила больше 400 слоёв
V10 BV-NAND — новый шаг для фирменной V-NAND. Samsung показала архитектуру Bonding V-NAND с новой технологией соединения пластин и заявила более 400 слоёв памяти.
Контекст тут важный. Samsung впервые представила V-NAND на Flash Memory Summit в 2013 году. Через 13 лет компания снова использует эту площадку, чтобы показать смену подхода в NAND.
| Параметр | V9 V-NAND | V10 BV-NAND |
|---|---|---|
| Архитектура | Предыдущее поколение V-NAND | Bonding V-NAND с wafer bonding |
| Количество слоёв | Меньше 400 слоёв | Более 400 слоёв |
| Плотность памяти | Базовый уровень сравнения | Примерно на 58% выше |
| Производительность | Предыдущее поколение | Улучшены чтение, запись и I/O |
Рост плотности на 58% относительно V9 — ключевая цифра для потребительского рынка тоже. Если технология дойдёт до массовых SSD без резкого роста себестоимости, производители смогут выпускать более ёмкие накопители в тех же форм-факторах.
Samsung пока говорит о будущем AI-систем и приложений. Но история NAND обычно работает цепочкой: сначала серверы, потом рабочие станции, потом потребительские SSD.
zNAND-O и PIM закрывают задержки у края сети
zNAND-O Samsung описывает как высокопроизводительную NAND на базе V-NAND для edge AI. Компания разрабатывает версии с четырьмя и восемью слоями, делая акцент на плотности, I/O и низкой задержке.
Edge-сценарии — это обработка данных ближе к месту их появления. В таких системах важна не только пиковая скорость. Задержка решает, когда модель работает с видео, сенсорами или локальными запросами в реальном времени.
- HBM4E: образцы для глобальных клиентов начали поставлять в мае 2026 года
- HBM5: модель следующего поколения для AI-ускорителей
- LPDDR5X-PIM: LPDDR-память с вычислениями внутри памяти
- PM1763 и BM1773: корпоративные накопители для AI-дата-центров
LPDDR5X-PIM интересна именно идеей обработки данных внутри памяти. Такой подход режет лишние перемещения данных между памятью и процессором. Для мобильных и энергоограниченных систем это может быть не менее важно, чем для серверов.
Samsung также напомнила, что в феврале начала массовое производство HBM4 на базе 1c DRAM и 4-нм base die. В мае компания первой, по собственной формулировке, отправила образцы HBM4E глобальным заказчикам.
Финальный акцент — производственная модель Samsung. Компания остаётся IDM с памятью, foundry-направлением и продвинутой упаковкой под одной крышей. Это даёт клиентам один маршрут от проектирования до массового выпуска чипов.
Официальные данные опубликованы на сайте Samsung. Презентация прошла на Future of Memory and Storage 2026 в Санта-Кларе, Калифорния, 4 августа 2026 года.
