Содержание
Рынок памяти упёрся в спрос со стороны AI-датацентров, и Samsung со SK hynix параллельно готовят разные техпроцессы для следующего поколения DRAM. У Samsung ставка на транзисторы GAAFET и приёмы из NAND, у SK hynix — на вертикальную компоновку по схеме 4F².
Мы говорим не про «красивые названия узлов». В памяти другая номенклатура. Производители используют буквенно-цифровые коды, и обозначения вроде 1c относят к продуктам на уровне 10 нм и ниже.
Почему DRAM стало сложно масштабировать на новых узлах
DRAM отличается от процессоров тем, что каждая ячейка хранит бит в конденсаторе. В ячейке рядом с конденсатором стоит транзистор, который управляет чтением и записью. И чем меньше технорма, тем сложнее удержать рабочий объём конденсатора. Он не может «усохнуть» бесконечно, иначе память начнёт терять заряд и стабильность.
Параллельно индустрия обсуждает переход к 3D DRAM. В таком подходе плотность наращивают за счёт более сложной пространственной компоновки. Это снижает риск паразитных контактов между элементами при высокой плотности.
Samsung хочет перенести приёмы NAND в DRAM и примеряет GAAFET
По данным отраслевых инсайдеров, Samsung рассматривает GAAFET для следующего поколения DRAM. В логике GAAFET затвор «обнимает» канал транзистора. Это улучшает контроль тока. В процессорах и SoC такой подход обычно связывают с ростом производительности и управляемости транзистора на малых размерах.
Но в DRAM одной заменой транзистора не отделаться. В ячейке ещё есть конденсатор, и Samsung нужно совместить GAAFET-транзистор с конденсатором в пределах DRAM-ячейки.
Один из вариантов, который обсуждают инсайдеры, — перенести часть управляющей логики под массив памяти. Речь про схемы, которые обслуживают операции чтения и записи. Такой приём давно знаком по NAND, где периферийные цепи часто размещают под массивом.
SK hynix делает ставку на вертикальные столбики 4F²
SK hynix, по тем же данным, экспериментирует с подходом 4F². Там транзисторы выстраивают вертикально. Материал затвора оборачивает структуру вокруг, что по идее напоминает логику GAAFET, но в иной компоновке.
Компоненты, которые принимают данные с конденсатора, в этой схеме размещают под транзисторным «столбиком». Это тоже попытка выиграть площадь и плотность, не ломая физику конденсатора.
Инсайдеры описывают ситуацию как гонку: Samsung и SK hynix хотят первыми закрепить свой подход как «стандартную модель» для следующего поколения DRAM.
Отдельная причина спешки — общий дефицит и напряжение в цепочках поставок памяти. Инсайдеры связывают это с бумом закупок под AI-датацентры: спрос вырос, а рынки HBM, DRAM и других чипов стали теснее, потому что они опираются на одни и те же базовые материалы производства.
Подробности утечки опубликовало корейское издание ETNews: ссылка на материал.
