У Samsung тормозит дорожная карта по HBM: компания на неопределённый срок отложила запуск массового производства памяти HBM5E. Причина — низкий выход годных у D1d DRAM (7-е поколение 10-нм класса), на которой и планировали строить следующее поколение HBM.

Об этом пишет корейское издание IT Chosun со ссылкой на источник, знакомый с внутренними процессами Samsung Electronics.

Почему Samsung поставила HBM5E на паузу

По данным IT Chosun, D1d DRAM уже получила pre-production approval (PRA). Но дальше упёрлись в экономику. Выход годных оказался ниже внутренних целевых значений, поэтому в компании сомневаются в окупаемости даже пробного прогона, не говоря о полном масштабе.

Продолжение после рекламы

Источник IT Chosun формулирует это прямо: «Samsung Electronics планирует отложить массовое производство на неопределённый срок, пока выход D1d не достигнет целевого уровня, и дата возобновления пока не определена». Параллельно команда «полностью пересматривает процессную дорожную карту», чтобы поднять выход годных.

Где D1d должна была стоять в линейке HBM

Изображение к статье: Samsung отложила HBM5E: D1d DRAM не вышла на нужный выход

D1d DRAM — ключевой кирпич в будущей HBM-линейке Samsung. Её ожидали как основу для HBM5E, которую в материале называют 9-м поколением HBM у компании.

При этом нынешняя платформа DRAM у Samsung, 1c DRAM, уже закрывает сразу несколько поколений HBM. Её используют в HBM4, HBM4E и HBM5. По тем же данным, HBM4 должна стартовать позже в этом году и её ждут в ускорителях NVIDIA Vera Rubin и AMD MI400. HBM4E связывают с Rubin Ultra и MI500, а HBM5 и кастомные варианты — с линейкой NVIDIA Feynman и другими конкурирующими решениями.

Разработка ускорилась, но производство стало узким местом

Отдельный нюанс в том, что Samsung действительно старается ускорить цикл разработки HBM. Но быстрый R&D не гарантирует готовность к серии. В этой истории узкое место — именно производственный цикл, потому что выход годных и экономическая модель решают всё.

Параллельно Samsung наращивает инфраструктуру под будущие объёмы. Компания вложила дополнительные ресурсы в крупный фаб-комплекс в Онъяне (Южная Корея). Площадка, по описанию, сопоставима с четырьмя футбольными полями и будет отвечать за упаковку, тестирование, логистику и контроль качества для DRAM нового поколения, включая HBM.

На фоне этой паузы усиливается контраст с конкурентом: по данным того же материала, SK Hynix уже разработала D1d DRAM и закрепила по ней выход годных. Гонка за контракты с крупными AI-компаниями дальше будет упираться не в красивые сроки разработки, а в стабильный выпуск и окупаемость.

Цитата источника IT Chosun фиксирует текущий статус максимально жёстко: «дата возобновления пока не определена».

Продолжение после рекламы

Рейтинг: 0 / 5. Оценок: 0

Рекомендуем почитать

Оставьте комментарий

Перед оставлением комментария, пожалуйста, ознакомьтесь с правилами комментирования.