Содержание
Samsung 29 мая 2026 года начала отгружать крупным мировым заказчикам первые в индустрии образцы HBM4E в 12-слойном исполнении. Речь про стек на 48 ГБ, который компания позиционирует как следующий шаг после HBM4, уже запущенной в массовое производство ранее в этом году.
Для рынка это сигнал простой: гонка памяти под ИИ ускоряется, и поставщики хотят застолбить дизайн-слоты у разработчиков ускорителей и серверных платформ ещё на стадии сэмплов.
Чем HBM4E отличается от HBM4 по цифрам
HBM4E у Samsung поднимает стабильную скорость на контакт до 14 Гбит/с, а масштабирование заявлено до 16 Гбит/с. Компания говорит, что это даёт прирост более чем на 20% относительно HBM4. В пересчёте на пропускную способность это до 3,6 ТБ/с на один стек, что напрямую упирается в питание больших моделей и плотные датацентровые нагрузки.
По ёмкости тоже есть движение. Текущий 12-слойный стек идёт на 48 ГБ, и Samsung отдельно подчёркивает, что это более чем на 30% больше, чем у прошлого поколения. Дальше линейку расширят по запросу клиентов: 32 ГБ (8 слоёв) и 64 ГБ (16 слоёв).
- Скорость pin speed: 14 Гбит/с (масштабирование до 16 Гбит/с)
- Пропускная способность: до 3,6 ТБ/с на стек
- Текущая конфигурация: 12 слоёв, 48 ГБ
- Планы по конфигурациям: 8 слоёв 32 ГБ и 16 слоёв 64 ГБ
Техпроцессы и упаковка: 1c DRAM плюс 4-нм базовый кристалл
Samsung связывает HBM4E с наработками по HBM4 и делает ставку на связку из двух технологий. Для DRAM компания использует 6-е поколение 10-нм класса (1c), а базовый логический кристалл (logic base die) выполнен на 4 нм на мощностях Samsung Foundry. По словам компании, такая комбинация повышает стабильность процесса и технологичность производства.
Отдельный акцент — на оптимизации дизайна и техпроцесса как по памяти, так и по логике. Samsung прямо говорит про улучшения по производительности, энергоэффективности и выходу годных, но чисел по yield не называет.
Энергоэффективность и тепло: +16% и -14% по тепловому сопротивлению
В HBM4E Samsung заявляет две конкретные метрики, которые важны именно для серверов. За счёт низкопотребляющих схем и изменений в упаковке компания получила рост энергоэффективности на 16% и улучшила тепловые характеристики: тепловое сопротивление снизили более чем на 14% по сравнению с прошлым поколением. В переводе на практику это упрощает отвод тепла на плотных ускорителях и снижает энергопотребление при длительных нагрузках.
Samsung отдельно напоминает, что её HBM4 уже получила позитивные отзывы клиентов по скорости и энергоэффективности. Для HBM4 компания ранее заявляла 11,7 Гбит/с в тестах system-in-package (SiP), и HBM4 первой в индустрии ушла в массовое производство.
По срокам дальше всё приземлённо: Samsung начнёт массовое производство HBM4E в привязке к графикам клиентов, после этапа сэмплов и доводки. «Following the successful mass production of HBM4, Samsung has once again demonstrated its distinct technological edge with HBM4E», — заявил Санг Джун Хван (Sang Joon Hwang), исполнительный вице-президент и руководитель разработки памяти в Samsung Electronics.
Первоисточник: Samsung Electronics.
