Содержание
Samsung собрала прототип 900-слойной V-NAND и приблизилась к планке в 1000 слоёв. Компания добилась этого через CMB (Cell Multi-Bonding) — склейку двух 450-слойных «пакетов» ячеек в один.
О разработке пишет корейское издание ETNews. По его данным, Samsung уже внедрила «900-layer class» V-NAND в виде интегрированной системы, то есть речь не про один удачный кристалл, а про связку технологических решений, которые можно повторять.
Как Samsung собрала 900 слоёв: CMB и борьба с деформацией пластин
Ключ к 900 слоям — технология Cell Multi-Bonding (CMB). Она объединяет две 450-слойные стопки ячеек, фактически делая один «двухэтажный» кристалл.
У такого подхода есть типичная боль: чем выше стопка, тем сложнее держать геометрию. В отрасли это упирается в деформацию (warping) пластин и ошибки совмещения слоёв.
ETNews указывает, что Samsung закрыла тему деформации через Upper Chuck Design. А ошибки совмещения слоёв снизила с помощью технологий Overlay Correction.
Зачем рынку 900+ слоёв NAND и кто давит Samsung по срокам
Больше слоёв в V-NAND — это прямой путь к росту плотности и ёмкости. Практический эффект Samsung описывает просто: такие чипы помогут заметно нарастить объёмы накопителей, от клиентских SSD до корпоративных решений.
- Серверы: больше терабайт на стойку и выше плотность хранения.
- ПК и ноутбуки: больше ёмкости в тех же форм-факторах SSD.
- Смартфоны: рост объёмов флеш-памяти без увеличения размеров.
По гонке слоёв сейчас лидирует SK Hynix: компания первой разработала и вывела на рынок 321-слойную NAND. Параллельно индустрия уже двигается к 400+ слоям: у Samsung в планах Vertical Bonding, у SK Hynix — Hybrid Bonding.
И давление идёт не только со стороны корейских конкурентов. Китайская YMTC уже выпускает 294-слойные и 232-слойные NAND-решения и сокращает разрыв с Samsung, SK Hynix и Micron. ETNews также пишет, что YMTC активно инвестирует в новые фабрики, чтобы удвоить текущий выпуск пластин на фоне дисбаланса спроса и предложения, который усилился из-за AI-цикла.
1000 слоёв — это не завтра: сроки и статус разработки
Стековый подход на 900+ слоёв пока остаётся прототипом. Но он прокладывает дорогу к следующей вехе — 1000 слоям.
Из отраслевых планов, которые упоминаются в контексте разработки, следует два ориентира. Во-первых, Samsung ещё в 2024 году планировала выйти на 1000-слойную NAND с использованием новых «ферроэлектрических» материалов. Во-вторых, 1000-слойную V-NAND в целом нацеливают на релиз к 2030 году, а 400+ слоёв должны появиться в ближайшие годы.
