Содержание
Samsung собрала прототип 900-слойной V-NAND, но не в виде одного монолитного кристалла. Компания соединила два 450-слойных NAND-модуля в один чип через продвинутую упаковку и гибридное бондинг-соединение.
О достижении рассказало корейское издание ET News. По их данным, Samsung использует собственный процесс Cell Multi-Bonding (CMB).
Почему 900 слоёв собирают из двух половинок
Цель Samsung — дойти до 1000 слоёв NAND, но сложность производства растёт. Поэтому компания больше не пытается «выжать» нужную высоту из одного кристалла. Вместо этого она склеивает два уже готовых массива памяти в один чип.
CMB — это вариант wafer stacking на базе hybrid bonding. Два кремниевых куска соединяют навсегда через встроенные металлические микровыступы. Их сплавляют, и по сути получают один чип из двух.
В описанной схеме Samsung соединяет не отдельные кристаллы, а целые пластины. Их стыкуют «спинками» (back ends), а потом уже режут на итоговые чипы.
Главная проблема — деформация пластин, и Samsung её обошла
Склейка толстых 450-слойных конструкций упирается в банальную механику. Пластины начинают коробиться, и это мешает точному совмещению слоёв при бондинге.
По данным ET News, Samsung решила это микроскопическими чехлами-захватами (microscopic chucks). Параллельно компания доработала техники склейки, чтобы исправлять ошибки наложения и смещения (overlay и misalignment) при соединении пластин.
Внутри самого NAND Samsung тоже внесла изменения. Компания разработала новые структуры bitline и wordline, чтобы держать энергопотребление под контролем и не раздувать размеры кристалла.
Как это соотносится с 10-м поколением V-NAND и конкурентами
В начале прошлого года Samsung показала 10-е поколение V-NAND, где на одном модуле получилось больше 400 слоёв. Тогда же компания впервые публично обозначила переход к hybrid bonding, и теперь видно, что технологию довели до практического результата.
По слоям в массовом производстве сейчас лидирует SK hynix с 321-слойной 4D NAND. Samsung хочет перехватить рекорд, но в ближайшее время план выглядит так: сначала массовое производство 10-го поколения (400+ слоёв на чип), а уже затем — переход к склеенной 900-слойной конструкции.
Сроки глобальной доступности 900-слойной V-NAND пока не назвали. Высокие объёмы производства, по текущей оценке, отделяют ещё несколько кварталов.
Отдельно ET News пишет, что CMB и 900-слойная компоновка — шаг к 1000-слойным V-NAND, которые Samsung нацеливает на 2030 год.
