Samsung планирует довести разработку 1-нм техпроцесса до готовности к 2031 году. Корейская Korea Economic Daily пишет, что R&D-график по узлу закроют к 2030-му, а сам производственный процесс хотят вывести на рынок годом позже.
Для индустрии это тот самый «dream semiconductor» — узел, к которому все стремятся, но который сложно приземлить в массовое производство. Переход от 2 нм к 1 нм упирается не только в литографию, но и в архитектуру транзистора.
Fork sheet: «стенка» между GAA-транзисторами ради плотности
По данным Korea Economic Daily, ставку в 1 нм Samsung делает на подход fork sheet. Идея простая по смыслу и сложная по реализации: добавить непроводящую «стенку» между GAA-устройствами. Так компания хочет уплотнить компоновку и разместить больше транзисторов в той же площади кристалла.
В тексте это сравнивают с городской застройкой. Раньше между «домами» были «лужайки», а теперь их убирают и ставят больше зданий. В переводе на железо это означает рост плотности без бесконечного усложнения одной и той же схемы GAA.
При этом все три 2-нм процесса Samsung уже опираются на GAA (Gate-All-Around). Эта архитектура повышает энергоэффективность за счёт расширения пути тока — условно «с трёх полос до четырёх». Но для 1 нм одной эволюции GAA, судя по всему, недостаточно, поэтому и появляется fork sheet.
Почему Samsung торопится с 1 нм, но сначала обязана «долечить» 2 нм
У Samsung уже был непростой эпизод с более «приземлённым» узлом. В 2025 году в отрасли ходили слухи, что компания отменила 1,4-нм техпроцесс по нераскрытым причинам. Позже появлялась информация, что этот узел сдвинули на 2028 год, чтобы сфокусироваться на 2 нм GAA.
Логика понятна: если 2 нм не дают стабильную эффективность и предсказуемые частоты, то 1 нм станет ещё более рискованным проектом. И здесь Korea Economic Daily прямо подводит к слабому месту Samsung последних лет — энергопотреблению.
В пример приводят Exynos 2600. Сообщается, что чип страдает от скачков мощности и в бенчмарках уровня Geekbench 6 может потреблять до 30 Вт. Для смартфона это уже зона, где троттлинг и деградация автономности становятся не теорией, а практикой.
Там же приводится и прикладное сравнение по времени работы. Версия стандартного Galaxy S26 на Snapdragon 8 Elite Gen 5 якобы живёт на 28% дольше, чем вариант на Exynos 2600. Для Samsung это неприятная метрика, потому что она бьёт по доверию к собственному техпроцессу и мобильным SoC.
Отдельно упоминают, что второй генерацией 2-нм GAA у Samsung считают SF2P. И именно с неё компании нужно снять вопросы по эффективности, прежде чем 1 нм перестанет быть красивой строкой в дорожной карте.
Если верить графику Korea Economic Daily, R&D по 1 нм завершат к 2030 году, а внедрение производственного процесса намечено на 2031-й.
