Содержание
У Samsung появился рабочий кристалл DRAM, сделанный по техпроцессу 10a с шагом 9,5-9,7 нм. Если цифры подтвердятся в серии, это будет первый в отрасли DRAM, который реально уходит в «однозначные нанометры».
О разработке пишет корейское издание The Elec. Речь не о NAND и не о HBM-стеке, а о «standalone» DRAM, то есть обычной памяти, из которой потом собирают модули.
10a — это не очередная буква, а уход ниже 10 нм
В DRAM давно живут в «10-нм классе» с поколениями 1x, 1y, 1z, 1a, 1b, 1c и 1d. Теперь Samsung, по данным The Elec, готовит 10a — и именно его анализируют как масштабирование до 9,5-9,7 нм.
По информации издания, Samsung в прошлом месяце изготовила пластины на 10a, а затем при проверке параметров кристаллов подтвердила рабочий die. Дальше компания планирует быстро подтянуть выход годных, меняя условия процесса на базе результатов с этого кристалла.
Главные изменения: 4F Square Cell и вертикальный транзистор
Два ключевых технических шага в 10a — это 4F Square Cell Structure и процесс VCT (Vertical Channel Transistor). В отрасли сейчас чаще используют 6F-структуру: прямоугольную ячейку размером 3F x 2F. Переход на 4F делает ячейку более «квадратной» — 2F x 2F.
Самое практичное следствие для рынка — плотность. По оценке, которую приводит The Elec, одна только смена геометрии на 4F даёт рост плотности ячеек на кристалле на 30-50%. Бонусом идёт экономия энергии, потому что при той же ёмкости можно обойтись меньшим числом кристаллов или меньшими площадями.
Ещё одна важная деталь — материалы. В 10a Samsung, по этим данным, задействует IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide) вместо кремния в части структуры. Смысл простой: при более узких ячейках растут утечки, а IGZO должен снижать их и помогать удержанию данных.
Сроки: разработка в этом году, массовое производство — 2028
По данным The Elec, Samsung рассчитывает завершить разработку 10a DRAM в 2026 году. А массовое производство планируют на 2028 год.
Эта же 4F-структура, как утверждается, станет базой не только для 10a, но и для следующих шагов — 10b и 10c, где её будут дорабатывать. А поколение 10d должно перейти к 3D DRAM и намечено на 2029-2030 годы.
Конкуренты тоже фигурируют в раскладе: Micron, по данным The Elec, пока не спешит с 4F и ждёт перехода сразу к 3D DRAM. И отдельно отмечают, что китайским производителям без доступа к продвинутой литографии будет сложнее с 3D DRAM, хотя сходство подходов с 3D NAND теоретически оставляет окно возможностей.
Массовое производство 10a DRAM, по плану Samsung, намечено на 2028 год.
