Содержание
3D NAND BiCS10 от Kioxia и Sandisk вышла на плотность выше 29 Гбит/мм². Это больше, чем у свежей Samsung V10-класса, хотя у той заявлены 400 с лишним слоев.
Компании начали поставлять инженерные образцы новой памяти партнерам. Речь идет о 10-м поколении BiCS TLC NAND с 332 активными слоями, кристаллом на 1 Тбит и скоростью интерфейса до 4800 MT/s. Главная аудитория — не домашние игровые SSD, а накопители для дата-центров с PCIe 5.0 и PCIe 6.0.
332 слоя дали плотность выше 29 Гбит/мм²
Kioxia и Sandisk сделали ставку не на рекордное число слоев само по себе, а на плотность хранения на площади кристалла. BiCS10 с 332 слоями обходит Samsung V10-класса по этому параметру: больше 29 Гбит/мм² против 28 Гбит/мм² у конкурента.
Это хороший пример, почему маркетинговое число слоев не всегда решает. У Samsung V10 больше 400 слоев, но итоговая плотность ниже. Зато по скорости ввода-вывода Samsung пока впереди: до 5600 MT/s против 4800 MT/s у BiCS10.
| Память | Слои | Плотность | Тип | Кристалл | I/O |
|---|---|---|---|---|---|
| Kioxia/Sandisk BiCS10 | 332 | >29 Гбит/мм² | TLC | 1 Тбит | до 4800 MT/s |
| Kioxia/Sandisk BiCS8 | 218 | 22,9 Гбит/мм² | QLC | 2 Тбит | до 3600 MT/s |
| Samsung V10 | 4xx | 28 Гбит/мм² | TLC | 1 Тбит | до 5600 MT/s |
| Micron G9 | 276 | 21,0 Гбит/мм² | TLC | 1 Тбит | до 3600 MT/s |
| SK hynix Gen 9 | 321 | 20 Гбит/мм² | TLC | 1 Тбит | не раскрыто |
По сравнению с BiCS8 прирост плотности достигает 59%. Для потребительского ПК это звучит абстрактно. Для серверного SSD это уже экономика стойки: больше данных на том же месте, меньше лишних корпусов и контроллеров.
Задержки чтения снизили за счет схемы word line
Новая BiCS10 ускоряет чтение не только за счет интерфейса. Kioxia заявляет снижение задержки чтения примерно на 4 микросекунды, то есть около 10%, а энергозатраты на чтение падают на 25% — примерно со 100 до 75 мДж/ГБ.
Инженеры изменили поведение невыбранных word line при последовательных операциях чтения. В обычной схеме память после каждого чтения разряжает линии до земли, VSS. Потом снова поднимает напряжение до VREAD перед следующим доступом.
В высоком 332-слойном стеке такой цикл стоит времени и энергии. Линии длинные, их зарядка и разрядка сильнее бьют по задержкам. В BiCS10 при непрерывном чтении напряжение опускают не до земли, а до промежуточного уровня.
Перед следующим чтением линия стартует уже не с нуля. Амплитуда меньше, ток ниже, доступ быстрее. Такой прием особенно полезен для облачных нагрузок, где чтения идут длинными сериями.
BiCS10 уходит в ЦОД, клиентские SSD получат другое поколение
Kioxia не продвигает BiCS10 как память для массовых клиентских SSD. Для ноутбуков, игровых сборок и обычных NVMe-накопителей компании готовят BiCS9, а 332-слойную BiCS10 выводят в серверный сегмент с упором на плотность, чтение и энергоэффективность.
Поэтому ждать такую NAND в условном флагманском SSD для домашнего апгрейда пока рано. Производитель прямо разводит линейки по назначению. BiCS10 нужна там, где накопитель большую часть жизни читает данные и постоянно упирается в ватт на терабайт.
Производство тоже разделят. Флагманскую BiCS10 отправят на Fab 2 в Китакками, префектура Иватэ. Клиентскую BiCS9 продолжит выпускать комплекс Йоккаити в префектуре Миэ, где зрелые линии лучше подходят для массовой NAND.
