Содержание
IBM и Lam Research 10 марта 2026 объявили о совместной работе над процессами и материалами, которые должны вывести логические чипы на уровень sub-1 nm. Компании подписали пятилетнее соглашение и отдельно выделили High-NA EUV как ключевую часть программы.
Речь не про «новый узел завтра в магазинах», а про исследовательскую и инженерную базу. Цель — собрать и проверить полный технологический маршрут. Он должен работать с приемлемым выходом годных, а не только на презентационных пластинах.
Пятилетний план: материалы, травление, осаждение и High-NA EUV
В этом соглашении акцент на том, что дальше упираться будет не только в литографию. IBM и Lam Research прямо говорят о совместной разработке новых материалов, процессов изготовления и High-NA EUV-процессов. Всё это нужно, чтобы продвинуть дорожную карту IBM по масштабированию логики к узлам ниже 1 нм.
Компании связывают задачу с усложнением архитектур транзисторов и межсоединений. Поэтому в фокусе — продвинутые возможности травления и осаждения для более «многослойных» и плотных структур, а также новые High-NA EUV-процессы для следующего поколения рисунка интерконнекта и слоёв устройств.
Что у них уже получалось вместе
IBM и Lam работают вместе больше десяти лет. Они связывают это партнёрство с развитием логического производства, включая ранние поколения 7 нм, nanosheet и внедрение EUV в процессные технологии.
Отдельно IBM напоминает о своей вехе: в 2021 году компания показала первый в мире чип на «2 нм». В заявлении генеральный менеджер IBM Semiconductors Мукеш Кхаре называет Lam «критически важным партнёром» и подчёркивает, что новая фаза сотрудничества нацелена на High-NA EUV и sub-1 nm.
«Мы рады расширить сотрудничество, чтобы решить следующий набор задач и включить High-NA EUV литографию и узлы ниже 1 нм», — говорит Мукеш Кхаре (Mukesh Khare), GM IBM Semiconductors и VP Hybrid Cloud, IBM Research.
Где и на чём будут собирать процесс: Albany NanoTech и инструменты Lam
Практическая часть пойдёт на инфраструктуре NY Creates Albany NanoTech Complex, где у IBM есть продвинутые исследовательские мощности. Со стороны Lam в проект заходят «сквозные» инструменты и технологии — от резиста до травления и осаждения.
- Aether dry resist: сухой резист для High-NA EUV
- Kiyo: платформа травления
- Akara: платформа травления
- Striker: система осаждения
- ALTUS Halo: система осаждения
- Advanced packaging: технологии продвинутой упаковки
Заявленная задача — «собрать и валидировать» полные технологические потоки для устройств nanosheet и nanostack, а также для backside power delivery (подача питания с обратной стороны кристалла). Ключевой критерий звучит прагматично: надёжно переносить High-NA EUV-рисунок в реальные слои устройства с высоким выходом годных.
Технический директор Lam Вахид Вахеди (Vahid Vahedi) привязывает это к «эре 3D-скейлинга». Он говорит, что прогресс теперь зависит от того, как материалы, процессы и литография сходятся в единую систему высокой плотности. И отдельно упоминает High‑NA EUV dry resist и процессные прорывы как путь к транзисторам с меньшим энергопотреблением и большей производительностью для AI-нагрузок.
«Мы гордимся тем, что развиваем сотрудничество с IBM и двигаем прорывы в High‑NA EUV dry resist и процессах, ускоряя разработку более энергоэффективных и производительных транзисторов, критичных для AI-эры», — заявил Вахид Вахеди.
Официальные страницы компаний: IBM и Lam Research.
Источники: IBM, Lam Research
