Содержание
NEO.AI — новая платформа памяти для ИИ-систем от NEO Semiconductor, представленная 5 августа 2026 года. Компания нацелилась сразу на два узких места современных ускорителей: кэш на кристалле и ёмкость HBM.
Если говорить по-простому, NEO Semiconductor бьёт туда, где сегодня упираются крупные AI-чипы. Вычислительные блоки растут быстро, но память не всегда успевает кормить их данными. В итоге дорогой ускоритель может простаивать не из-за слабой арифметики, а из-за нехватки близкой и быстрой памяти.
В компании называют эту проблему AI Memory Wall. Под этим термином NEO Semiconductor объединяет два ограничения: медленное масштабирование обычной SRAM на новых техпроцессах и пределы 2D DRAM, из которой строят нынешнюю HBM.
X-SRAM должна увеличить плотность кэша на кристалле
Главная часть платформы для самого чипа — X-SRAM, новая память для AI cache. NEO Semiconductor заявляет до 5× более высокую плотность по сравнению с обычной SRAM, но без ухода от класса производительности SRAM.
Для AI-ускорителей это больная тема. Кэш на кристалле лежит ближе всего к вычислительным блокам. Он быстрее внешней памяти и помогает реже ходить в HBM. Но SRAM занимает много площади, а на дорогих передовых узлах каждый квадратный миллиметр стоит заметных денег.
NEO Semiconductor подчёркивает совместимость X-SRAM с продвинутыми nanosheet CMOS-процессами. Это важная деталь для производителей чипов, которые уже двигаются к новым транзисторным структурам. Компания говорит и о дальнейшем пути к монолитной 3D X-SRAM, но без дат и производственных партнёров.
3D X-DRAM нацелена на более ёмкую HBM
Вторая часть NEO.AI — 3D X-DRAM, технология для увеличения ёмкости памяти HBM. По заявлению NEO Semiconductor, она может дать до 10× больше ёмкости, чем обычная DRAM.
Компания делает ставку на производственные подходы из 3D NAND. Это не значит, что 3D X-DRAM уже можно купить в виде готовых стеков HBM. NEO Semiconductor говорит о подтверждённом proof-of-concept и называет технологию потенциально масштабируемой для будущих поколений HBM.
- X-SRAM: до 5× выше плотность памяти на кристалле при производительности класса SRAM
- 3D X-DRAM: до 10× выше ёмкость по сравнению с обычной DRAM
- Цель платформы: увеличить кэш AI-чипов, ёмкость HBM и загрузку вычислительных блоков
Здесь есть важная оговорка для тех, кто помнит красивые презентации памяти последних лет. NEO Semiconductor не объявила массовое производство, цены или конкретные ускорители с NEO.AI. Пока речь идёт об анонсе платформы, раскрытии X-SRAM и прогрессе по 3D X-DRAM.
NEO Semiconductor делает ставку на «стену памяти» в ИИ
Основатель и CEO NEO Semiconductor Энди Хсу прямо связывает запуск с ростом AI-моделей. По его словам, инновации в памяти становятся критичными для будущего искусственного интеллекта, а X-SRAM и 3D X-DRAM закрывают два крупнейших ограничения.
«X-SRAM значительно расширяет плотность памяти на кристалле, а 3D X-DRAM значительно увеличивает ёмкость HBM», — заявил Хсу. Он добавил, что вместе эти технологии дают масштабируемую основу для следующего поколения AI-систем.
К анонсу подключился и Стэн Ши, основатель Acer, бывший глава компании и бывший член совета директоров TSMC. Сейчас он входит в консультативный совет NEO Semiconductor. Ши назвал память одной из ключевых технологий для следующего этапа развития ИИ.
Для рынка это не история про игровой апгрейд или новый комплект DDR5 в ближайшем магазине. NEO.AI относится к уровню архитектуры AI-ускорителей и будущей HBM. Но именно такие вещи потом влияют на то, сколько памяти получат серверные GPU и насколько эффективно они будут работать с большими моделями.
NEO Semiconductor опубликовала анонс NEO.AI 5 августа 2026 года. Цены, партнёры по производству и сроки коммерческих поставок компания в релизе не назвала.
