Содержание
CXMT может почти догнать Micron по выпуску DRAM уже в 2026 году: Citrini Research ждёт от китайского производителя около 350 000 пластин в месяц. Разница с Micron по этой модели составит всего 25 000 пластин.
Для рынка памяти это звучит громче, чем обычный отчёт аналитиков. Если прогноз сойдётся с реальностью, Китай выйдет на траекторию второго крупнейшего центра выпуска DRAM после Южной Кореи. Не по выручке, не по техпроцессам уровня лидеров, а именно по производственной базе.
CXMT подходит к масштабу Micron, но прогноз держится на оборудовании
Citrini Research строит прогноз снизу вверх: считает фабрики, чистые комнаты, планы закупки оборудования и предполагаемые техпроцессы. По этой модели CXMT завершит 2026 год с 350 000 WSPM, где WSPM — это количество стартов кремниевых пластин в месяц.
Micron в той же оценке находится на уровне 375 000 WSPM. Разница уже не выглядит пропастью, хотя Micron остаётся зрелым игроком с глобальной базой клиентов, опытом HBM и более сильной технологической школой.
Китайский рост строится не только вокруг CXMT. Модель Citrini закладывает расширение ещё трёх площадок: JHICC, Swaysure и XMC, дочерней структуры YMTC. По оценке аналитиков, CXMT может делиться DRAM-технологиями с этими компаниями, чтобы закрывать внутренний спрос.
- Swaysure: фабрика в Шэньчжэне на 140 000 WSPM уже построена.
- JHICC: комплекс в Цзиньцзяне рассчитан на 120 000 WSPM, первая фаза на 60 000 WSPM ждёт оборудование к концу 2026 года.
- YMTC/XMC: фабрика Wuhan Fab 3 может выпускать около 50 000 WSPM DRAM.
Если эти мощности запустятся, суммарная китайская DRAM-база дойдёт до 600 000 WSPM. В расчёт не входят китайские фабрики Samsung и SK hynix. До Южной Кореи всё равно далеко, но Японию, Тайвань и США вместе Китай по этой метрике обгонит.
| Компания | 2026E, тыс. WSPM | 2027-2029E, тыс. WSPM | 2030E, тыс. WSPM |
|---|---|---|---|
| CXMT | 350 | н/д | 950 |
| Micron | 375 | н/д | н/д |
| Samsung | 720 | н/д | 1140-1450 |
| SK hynix | 590 | н/д | 1180 |
| JHICC | — | 60 | 120 |
| Swaysure | — | н/д | 140 |
| YMTC/XMC | 50 | 50 | 200 |
К 2030 году Китай нацелился на 1,41 млн пластин в месяц
Самая агрессивная часть прогноза начинается после 2026 года. Citrini Research ждёт, что Китай доведёт общий выпуск DRAM примерно до 1,41 млн WSPM к 2030 году. У одной CXMT в этой картине будет около 950 000 WSPM.
Рост CXMT должен идти через новые мощности в Пекине, Хэфэе и Шанхае. По техпроцессам модель выглядит так: 400 000 WSPM останутся на D1a, ещё 400 000 WSPM перейдут на D1b, а около 150 000 WSPM будут выпускать D1c-чипы.
Здесь надо аккуратно читать цифры. Прогноз описывает не один уже подписанный график поставок, а сценарий при нормальном доступе к оборудованию. Для DRAM это критично. Фабрика без литографии превращается в дорогую чистую комнату.
Главное узкое место — 193-нм иммерсионные DUV-сканеры. Такие машины делают ASML, Canon и Nikon, но быстро нарастить выпуск трудно. Внутри десятки тысяч компонентов, а цепочки поставок не масштабируются как сборка корпусов для ПК.
Если предложенный MATCH Act ограничит продажи продвинутых иммерсионных DUV-систем отдельным китайским компаниям, расширение может сдвинуться на годы. Citrini допускает, что китайская SMEE начнёт серийный выпуск собственных иммерсионных DUV-сканеров в конце 2026-го или начале 2027 года. SiCarrier/Yuliangsheng, по этой оценке, подготовит свою DUV-платформу в 2028 году.
Мы бы не читали этот пункт как готовый календарь. Ни SMEE, ни SiCarrier пока не поставили коммерческую иммерсионную систему. Даже после первого рабочего сканера производителям памяти нужны годы, чтобы поднять выход годных чипов.
Спрос на DRAM к 2030 году может оставить дефицит 25%
Citrini Research прогнозирует спрос на DRAM на уровне 157,5 ЭБ в год к 2030 году. В этой оценке AI-серверы съедают не только HBM, но и огромный объём обычной DRAM для процессоров и облачной инфраструктуры.
- 75 ЭБ: обычная DRAM для CPU в системах agentic AI.
- 25 ЭБ: обычная DRAM для традиционных облачных серверов.
- 20 ЭБ: обычная DRAM для клиентских устройств.
- 37,5 ЭБ: HBM4E и HBM5 для AI-ускорителей.
Предложение в той же модели ниже спроса. Вся индустрия сможет выпустить около 37,5 ЭБ HBM4E/HBM4 и 91,3 ЭБ обычной DRAM, включая китайские мощности. Разрыв составит 28,7 ЭБ, или примерно 25%.
Для потребительского рынка память остаётся болезненным компонентом. Когда DRAM дорожает, производители ноутбуков, видеокарт, смартфонов и готовых ПК начинают экономить на объёме. Мы уже видели это по базовым конфигурациям с 8 ГБ RAM, которые в 2020-х выглядели как компромисс из прошлого десятилетия.
Новые китайские мощности могут сдержать цены, но не обязаны быстро снять глобальный дефицит. Citrini считает, что большая часть дополнительного выпуска уйдёт на внутренний спрос Китая. Для покупателей в других регионах это значит более мягкое давление на цены, но не гарантированное возвращение дешёвой памяти.
Ключевая проверка прогноза наступит в конце 2026 года: JHICC ждёт оборудование для первой фазы на 60 000 WSPM, а SMEE должна подойти к серийному выпуску иммерсионных DUV-сканеров после бета-тестов.