Содержание
Samsung готовит для Exynos 2700 новую компоновку кристалла: оперативную память хотят разместить рядом с SoC, а не «бутербродом» сверху. По оценке, это даст рост пропускной способности памяти на 30-40% и улучшит энергоэффективность.
Параллельно Samsung дорабатывает тепловой тракт. Идея простая: меньше «запертого» тепла между SoC и RAM — стабильнее частоты под нагрузкой.
Главное изменение в Exynos 2700 — память переедет рядом с SoC
Самый заметный сдвиг в Exynos 2700 связан не с ядрами CPU или GPU, а с физической раскладкой компонентов в корпусе. Samsung собирается перейти на архитектуру Side-by-Side (SBS), где память и SoC лежат рядом и соединяются на уровне пластины.
Для этого компания планирует задействовать Fan-out Wafer Level Packaging (FOWLP). В такой схеме межсоединения короче, а значит, память можно «кормить» быстрее и с меньшими потерями по питанию. Оценка по приросту пропускной способности — 30-40% — фигурирует в утечках и пересказах отраслевых наблюдателей (вот один из разборов: 30 percent to 40 percent).
Что было в Exynos 2600 и почему Samsung меняет «бутерброд»
У Exynos 2600 компоновка другая: RAM размещают поверх SoC, а сверху ставят медный теплосъёмник Heat Path Block (HPB). Это улучшает отвод тепла наружу, но часть тепла всё равно «зажимается» между SoC и памятью.
В Exynos 2700 при SBS-подходе HPB можно расположить так, чтобы он эффективнее снимал тепло и с SoC, и с памяти. В исходных данных это описывают как «материальное улучшение» термостабильности. То есть меньше шансов, что чип упрётся в температуру и начнёт сбрасывать частоты.
Техпроцесс SF2P: +12% производительности и -25% энергопотребления
Exynos 2700 ждут на техпроцессе Samsung SF2P. Это следующая итерация 2-нм GAA, который приписывают Exynos 2600.
По ожиданиям, SF2P даст +12% к «сырой» производительности и -25% к энергопотреблению относительно предыдущего узла SF2. Речь именно о заявленных/ожидаемых улучшениях узла, а не о готовых бенчмарках смартфонов.
База для этого — транзисторы Gate-All-Around (GAA). В GAA затвор охватывает канал со всех сторон вокруг вертикальных «нанолистов», что улучшает контроль над током и снижает пороговое напряжение. Если хочется освежить матчасть, вот нормальное объяснение архитектуры: Gate-All-Around (GAA).
Сравнение со Snapdragon: Samsung хочет нарастить термопреимущество
В этих же данных утверждается, что Exynos 2600 уже держится стабильнее по температуре, чем Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 5. А переход Exynos 2700 на SBS-компоновку и более «вылизанный» теплосъёмник должен увеличить этот отрыв.
Это пока не результаты наших тестов и не официальные цифры Samsung. Но сама логика изменений понятна: короткие линии к памяти и более прямой тепловой путь обычно помогают удерживать частоты дольше.
О свежих деталях по Exynos 2700 начали говорить 25 апреля 2026 — эта дата фигурирует в публикации с упоминанием утечки на X: April 25, 2026.
