Содержание
Samsung отложит внедрение High-NA EUV до 2030 года, когда компания планирует перейти к 1-нм техпроцессу. Для рынка полупроводников это не выглядит паникой: Samsung пока выжимает максимум из нынешних Low-NA EUV-сканеров.
О планах Samsung Foundry пишет ZDNet Korea. По данным корейского издания, компания пока не закрепила High-NA EUV в ближайших производственных узлах. Новый класс литографических машин ASML должен появиться у Samsung именно на этапе 1 нм.
Samsung не спешит менять Low-NA EUV на High-NA EUV
Samsung Foundry продолжает обновлять оборудование для выпуска передовых чипов, но не ставит High-NA EUV в центр ближайших техпроцессов. Такой график выглядит логично: High-NA нужен там, где Low-NA уже упирается в пределы по плотности рисунка и сложности масок.
Главная причина проста — цена и отдача. Самая продвинутая High-NA EUV-машина ASML стоит около $400 млн, то есть примерно 31 млрд рублей. Даже для современной фабрики это не покупка уровня «добавим еще одну линию и поехали».
Low-NA EUV-системы обходятся примерно вдвое дешевле. А при правильной настройке процесса они еще дают конкурентный результат на текущих нормах. Поэтому Samsung не одинока: TSMC тоже пока держится за Low-NA EUV и планирует перейти на High-NA позже.
Intel идет раньше, TSMC целится в 2029 год
На фоне Samsung график конкурентов выглядит агрессивнее, но не одинаково рискованно. Intel уже постепенно масштабирует узел 14A к риск-производству с High-NA EUV, TSMC ожидают с внедрением технологии в 2029 году, а Samsung связывает переход с 1-нм нормой 2030 года.
| Компания | План по High-NA EUV | Производственный узел |
|---|---|---|
| Intel | Постепенно масштабирует к риск-производству | 14A |
| TSMC | Ожидаемый переход в 2029 году | Передовые нормы следующего поколения |
| Samsung Foundry | Переход ожидается в 2030 году | 1 нм |
Риск-производство — это еще не массовый выпуск чипов для витрины. На этом этапе фабрика проверяет технологию, ловит дефекты и доводит выход годных кристаллов. Поэтому ранний старт Intel не означает, что весь рынок завтра переедет на High-NA.
TSMC публично продвигает более спокойную логику. Компания считает, что Low-NA EUV пока хватает для сохранения конкурентного преимущества. Она уменьшает нормы и добавляет улучшения от поколения к поколению, не покупая самые дорогие сканеры раньше нужного момента.
Multi-patterning продлевает жизнь старой EUV-литографии
Low-NA EUV держится не на магии, а на multi-patterning — многократном переносе рисунка на один слой. Фабрика прогоняет слой через EUV несколько раз, разделяя сложный рисунок на части. Два прохода Low-NA могут дать эффект, близкий к одному экспонированию High-NA.
У этого подхода есть цена. Каждый дополнительный проход усложняет производство, увеличивает время обработки пластины и повышает требования к совмещению слоев. Но пока экономика сходится, фабрикам выгоднее дожать существующие машины, чем сразу ставить оборудование по $400 млн за штуку.
Ограничения multi-patterning никуда не исчезают. Чем мельче нормы, тем труднее удерживать точность и стабильный выход годных чипов. Именно поэтому High-NA EUV все равно придет на узлы 1 нм и ниже, но не обязательно раньше.
Для покупателей процессоров и видеокарт эта новость не меняет цены в магазине завтра. Но она показывает, почему переходы между техпроцессами дорожают и растягиваются. Фабрики уже не получают простой прирост плотности одним обновлением оборудования, как в старые добрые времена.
По данным ZDNet Korea, Samsung привязывает внедрение High-NA EUV к 1-нм техпроцессу в 2030 году; TSMC ожидают с переходом в 2029-м, а Intel уже ведет 14A к риск-производству на High-NA EUV.
