Infineon сообщила, что изготовила работающие силовые приборы из карбида кремния (SiC) на пластинах диаметром 300 мм на заводе в Филлахе, Австрия. Как пишет TechPowerUp, компания называет себя первой, кому удалось сделать это в условиях действующей полупроводниковой фабрики, используя имеющееся оборудование для обработки кремниевых пластин.
Большая пластина позволяет разместить больше чипов: по оценке Infineon, на одной 300-мм пластине их получается в 2,3 раза больше, чем на 200-мм. Карбид кремния применяют в силовой электронике, которая преобразует электрическую энергию, в том числе в зарядных устройствах для электромобилей, промышленных приводах и системах хранения энергии. Свойства материала помогают снижать потери при работе с высокими напряжениями и температурами.
Пока речь идёт об изготовлении работающих приборов, а не о запуске массового выпуска на 300-мм пластинах. Сроки наращивания такого производства Infineon намерена определить вместе с заказчиками и партнёрами; параллельно компания продолжит развивать производство SiC на 200-мм пластинах. В Дрездене она также проверила применимость технологии Cold Split к 300-мм SiC: она отделяет пластины от кристалла с меньшими потерями материала, чем обычная распиловка проволокой.
Источник: Techpowerup.
