Содержание
Intel обработала больше 1 млн 300-мм пластин на сканерах High-NA EUV. Компания прошла эту отметку менее чем за два с половиной года после сборки первого такого инструмента.
Для полупроводниковой индустрии это не красивая цифра для пресс-релиза, а маркер готовности процесса. Intel уже сертифицировала High-NA EUV для техпроцесса 18A и использует эти машины при выпуске части процессоров Panther Lake.
Intel обогнала остальных по загрузке High-NA EUV
Главная деталь в том, что Intel прошла миллион пластин раньше конкурентов и, судя по открытым данным ASML, обработала на High-NA EUV больше пластин, чем вся остальная индустрия вместе взятая. В апреле ASML говорила, что все отгруженные к тому моменту High-NA EUV-сканеры суммарно прошли более 500 000 пластин при доступности выше 80%.
Парк Intel сейчас включает два сканера ASML Twinscan EXE:5000 и как минимум один более быстрый EXE:5200B. В конце февраля 2025 года Intel обработала около 30 000 пластин на High-NA EUV. Рост до миллиона к сентябрю 2026 года показывает не только расширение парка, но и созревание процесса.
В эту цифру входят разные типы пластин: от установки и сертификации оборудования до исследований и реального производства. Поэтому миллион не равен миллиону готовых коммерческих чипов. Но для новой литографии важнее другое: Intel гоняет оборудование на объёмах, которые уже похожи на промышленную рутину, а не на лабораторный режим.
Почему High-NA EUV упирается в размер фотомаски
High-NA EUV даёт более высокую числовую апертуру — 0,55 NA вместо привычных 0,33 NA. Это помогает печатать более мелкие структуры, но ломает удобную геометрию экспонирования, к которой фабрики привыкали десятилетиями.
| Параметр | Обычная EUV 0,33 NA | High-NA EUV 0,55 NA |
|---|---|---|
| Увеличение | 4X по двум осям | Анаморфное 4X/8X |
| Стандартная маска | 6×6 дюймов | 6×6 дюймов |
| Поле на пластине | 26×33 мм | примерно 26×16,5 мм |
| Крупный кристалл | Один проход | Два полуполя со stitching |
Из-за анаморфной оптики та же 6-дюймовая фотомаска покрывает только половину привычного поля. Если крупный CPU или GPU раньше помещался в 26×33 мм, то на High-NA EUV его приходится печатать двумя половинами. Этот приём называют stitching.
Stitching рабочий, но неприятный компромисс. Две экспозиции нужно совместить с микроскопической точностью. Любой сдвиг на границе может испортить линии, переходы и межсоединения. Для больших кристаллов это особенно больно: один дефект бьёт по выходу годных чипов сильнее, чем на маленьких чиплетах.
- Скорость: на EXE:5200B throughput падает со 175 до 125 пластин в час.
- Проектирование: инженерам приходится заранее закладывать границу stitching в планировку кристалла.
- Выход годных: ошибка совмещения может сломать линии, vias или межсоединения.
6×12-дюймовые маски могут убрать stitching
Intel продвигает переход на крупные 6×12-дюймовые фотомаски. С такой маской High-NA EUV-сканер сможет экспонировать полное поле 26×33 мм за один проход, без сшивки двух половин.
На бумаге идея выглядит простой: сделать маску вдвое длиннее. В реальности меняется почти вся цепочка производства. Нужны новые заготовки масок, осаждение, травление, инспекция, метрология, очистка, pellicle, писатели масок и системы транспортировки.
Сами сканеры тоже придётся менять или проектировать заново под более крупные ретикулы. Intel и ASML не подтвердили, что существующие или запланированные High-NA EUV-машины можно модернизировать под 6×12 дюймов. Это делает переход дорогим и медленным для всей цепочки поставок.
Но если стандарт всё же сменится, Intel получит редкое преимущество. Компания не просто раньше других поставила High-NA EUV в производственный цикл. Она пытается повлиять на стандарт фотолитографии, по которому индустрия будет жить ещё много лет.
По дорожной карте ASML, будущие High-NA EUV-сканеры до 2033 года и после него пока рассчитаны на 6×6-дюймовые ретикулы и stitching.
