Китайская CXMT может до конца 2026 года начать массовое производство HBM3E — своей первой памяти класса HBM. Об этом сообщает Reuters со ссылкой на источники. Главная трудность на старте — низкий выход годных изделий, который, по данным издания, составляет около 20%.
В августе CXMT приступила к пробному производству. Сейчас компания отправляет заказчикам два варианта HBM3E: первоначальный и доработанный для повышения выхода годных изделий. По словам источников Reuters, производительность памяти CXMT пока ближе к HBM3 компании SK hynix, чем к её HBM3E. Конкретных показателей скорости для изделий CXMT не приводится.
HBM состоит из нескольких соединённых между собой слоёв памяти. TechPowerUp связывает производственные сложности CXMT в том числе с технологией вертикальных соединений между слоями — TSV. Пока компания работает над восьмислойной конфигурацией; переход к 12 слоям, позволяющим увеличить ёмкость, в ближайшее время издание считает маловероятным.
Источник: Techpowerup.
