Samsung начинает промышленное производство чипов памяти DDR5 12 нм

Компания Samsung объявила о начале производства наиболее продвинутой памяти DDR5 DRAM на техпроцессе 12 нм, которая была анонсирована в прошлом декабре. Отличительной чертой памяти является уменьшение энергопотребления и рост числа чипов с одной пластины.

Samsung говорит о снижении энергопотребления на 23% по сравнению с прошлым поколением памяти. Это снизит выброс углекислого газа в серверах и центрах обработки данных. Эффективность удалось увеличить за счёт использования нового материала с высокой диэлектрической проницаемостью для увеличения ёмкости памяти.

Память Samsung 16 Гбит обладает максимальной скоростью 7,2 Гбит/с, что равнозначно обработке двух фильмов формата UHD объёмом 30 ГБ за секунду.