Федеральный суд в США отказался отклонить иск к Samsung, SK hynix и Micron об искусственном дефиците оперативной памяти DRAM. Как сообщает IT Home, в решении от 14 ноября судья сочла обвинения достаточно обоснованными для продолжения дела. Нарушили ли компании закон, суд пока не установил.
Иск подали 17 потребителей и представителей малого бизнеса из пяти штатов США. Они утверждают, что производители согласованно ограничили предложение DRAM, из-за чего память подорожала. Согласно жалобе, компании начали сокращать выпуск традиционной памяти в конце 2022 года, а в 2023-м перенаправили часть мощностей на HBM — память с высокой пропускной способностью, используемую в системах ИИ. Истцы связывают эти действия с ростом цен на традиционную DRAM на 697% с конца третьего квартала 2024 года до конца первого квартала 2026-го.
Компании возражали, что изменение производства стало ответом на спрос со стороны ИИ. Однако судья сочла изложенные истцами обстоятельства достаточными, чтобы рассмотреть обвинение в незаконном соглашении. В числе приведённых в иске обстоятельств — сокращение выпуска DDR4 всеми тремя производителями в одном квартале 2025 года и схожие процедуры проверки клиентов, введённые в январе 2026-го.
Samsung, SK hynix и Micron должны представить ответы на иск до 7 декабря 2026 года. Первое заседание по организации дальнейшего рассмотрения назначено на 12 января 2027 года.
Источник: IT Home.
