Micron представила планы на следующее поколение флеш-памяти 3D NAND — G11. По заявлению компании, плотность хранения данных вырастет примерно вдвое по сравнению с нынешним поколением G9. Массовое производство G11 намечено на вторую половину 2027 года, сообщает Tom’s Hardware.
Micron рассчитывает разместить в G11 более 400 слоёв памяти. Компания также заявляет об увеличении скорости обмена данными с микросхемой до 50% и снижении энергозатрат на передачу одного бита более чем на 25% относительно G9. Это характеристики самой памяти, а не обещанные показатели готовых SSD.
Для G11 Micron перейдёт на соединение двух кремниевых пластин: на одной будут изготавливать ячейки памяти, на другой — схемы управления и ввода-вывода. Такой подход позволяет развивать обе части по отдельности. Micron пока не раскрыла точное число рабочих слоёв и обещает рассказать больше о технологии в 2027 году.
Источник: tomshardware.com.
