В современных мобильных устройствах постоянная память уже весьма быстрая, но прогресс не стоит на месте и скорости продолжают расти. На этой неделе Samsung анонсировала новое поколение флеш-память UFS 4.0. Она уже одобрена наблюдающей за отраслевыми стандартами организацией JEDEC.
Скорость этой памяти на одну полосу будет составлять 23,2 Гбит/с, что вдвое превосходит значение в нынешнем стандарте UFS 3.1. Улучшенная память V-NAND 7-го поколения и новый контроллер позволят получить скорость последовательного чтения данных до 4200 МБ/с и записи до 2800 МБ/с. Это превосходит скорости SSD игровой консоли Xbox Series X, но пока уступает скорости в PlayStation 5.
Ещё обещано пониженное энергопотребление. Скорость в 6 МБ/с на 1 мА означает прирост эффективности на 46% по сравнению с UFS 3.1. Размер чипов будет 11 х 13 х 1 мм, а максимальная вместимость 1 ТБ.
Промышленное производство начнётся в третьем квартале, так что на появление новой памяти в смартфонах можно рассчитывать до конца года.
Источник: IXBT
