Во время ежегодного технологического дня компания Samsung рассказала о разработке следующих поколений памяти DDR6, GDDR6+, GDDR7 и HBM3. Сейчас начинается распространение памяти DDR5 на последних процессорах Intel, хотя дефицит сохраняется. Скорость пока достигает 7000 Мбит/с, но разработчики нацеливаются на более высокие значения.
DDR6 уже разрабатывается в лабораториях Samsung и появится не раньше 2025 года. Для сравнения, стандарт DDR4 существует на протяжении 6 лет, а DDR 5 появилась только в этом году.
DDR6 вдвое увеличит скорость передачи данных по сравнению с DDR5 и вчетверо по сравнению с DDR4. Скорость составит 12800 Мбит/с и до 17000 Мбит/с в разогнанной памяти. Некоторые производители уже готовят DDR5 со скоростью 12000 Мбит/с, тогда как DDR6 сможет достигать 20000 Мбит/с. У неё будет четыре 16-битных канала.
Рассказала Samsung и о планах относительно стандарта GDDR6+. Пока только компания Micron готовит стандарт GDDR6X 21000 Мбит/с для видеокарт. GDDR6+ увеличит это значение до 24 Мбит/с с графическими процессорами следующего поколения. GPU с шинами 320/352/384 бит смогут достигнуть пропускной способности более 1 ТБ/с, а с шиной 256 бит 768 ГБ/с.
В планах есть и GDDR7 с пропускной способностью до 32000 Мбит/с и технологией защиты от ошибок в реальном времени. С шиной 256 бит память предложит пропускную способность 1 ТБ/с, с шиной 384 бит 1,5 ТБ/с.
Промышленное производство памяти Samsung HBM3 должно стартовать во втором квартале будущего года. Эта память войдёт в состав HPC и датацентров. Ранее SK Hynix уже демонстрировала свои модули памяти HBM3.
Источник: Wccftech
