Содержание
Samsung HBM5 нацелена на двукратный рост производительности относительно HBM4E, а следующая архитектура zHBM обещает уже восьмикратный скачок. Компания показала обновлённую дорожную карту памяти 1 сентября 2026 года на SEMICON Taiwan 2026.
Это не история про очередную наклейку на модуле. Samsung меняет базовый кристалл, наращивает число слоёв и готовит иной способ посадки памяти рядом с вычислительными ускорителями. Главный адресат понятен без лишних намёков: ИИ-ускорители, дата-центры и всё железо, где память уже ограничивает чип сильнее, чем арифметические блоки.
HBM5 переезжает на 2-нм базовый кристалл
HBM5 сохраняет привычную схему HBM, где стек памяти размещают рядом с ускорителем, но Samsung меняет основу: базовый кристалл переходит с 4-нм техпроцесса из HBM4 и HBM4E на собственный 2-нм узел компании.
Samsung планирует выпускать HBM5 в стеках на 12, 16 и 20 слоёв. Цель по энергоэффективности — плюс 20% к производительности на ватт относительно HBM4E. Тепловое сопротивление компания хочет снизить на 20%, что для многослойной памяти звучит не менее важно, чем чистая пропускная способность.
Серийное производство HBM5 Samsung ждёт около 2028 года. До этого компания должна вывести HBM4E: на Hot Chips 2026 Advance Program Samsung подтвердила подготовку поставок памяти со скоростью 16 Гбит/с на контакт. Сейчас компания уже отгружает HBM4 на 11,7 Гбит/с на контакт.
| Память | Ключевой параметр | Сроки |
|---|---|---|
| HBM4 | 11,7 Гбит/с на контакт в текущих поставках Samsung | уже поставляется |
| HBM4E | 16 Гбит/с на контакт в готовящихся поставках | после Hot Chips 2026 |
| HBM5 | 2x производительность к HBM4E, плюс 20% к производительности на ватт | около 2028 года |
| zHBM | 8x производительность к HBM4E, 3x производительность на ватт | после 2029 года |
zHBM ставит память прямо на процессор
zHBM уходит дальше обычной HBM: Samsung хочет размещать память прямо поверх процессора, а не рядом с ускорителем. Такой подход сокращает путь данных и даёт больше пропускной способности при меньших потерях энергии.
Цели у zHBM агрессивные: восьмикратный рост сырой производительности относительно HBM4E, трёхкратный рост производительности на ватт и снижение теплового сопротивления на 75-90%. Последний пункт здесь не украшение спецификации. Если память лежит над горячим вычислительным кристаллом, упаковка и отвод тепла становятся частью архитектуры.
Samsung показала первые концепт-модели zHBM на FMS 2026. Коммерческий запуск такой архитектуры компания относит к периоду после 2029 года. То есть перед нами не продукт для ближайших серверных плат, а направление для следующего большого цикла ускорителей.
Индустрия уже двигается в ту же сторону. NVIDIA недавно анонсировала собственную память NVHBM, где контроллер памяти переезжает в базовый кристалл HBM, а не остаётся на вычислительном чипе. Это другой подход, но мотив тот же: укоротить путь данных и снять часть нагрузки с основного кристалла.
zNAND-O и C.U.B.E давят на плотность и тепло
На стороне NAND Samsung готовит zNAND-O с сэмплингом в 2028 году. Компания целится в десятикратную плотность битов относительно DRAM и семикратную скорость чтения, сохраняя энергоэффективность обычной NAND.
Перед SEMICON Taiwan 2026 Samsung описала подход C.U.B.E на Memory Executive Summit. Название складывается из четырёх приоритетов: Capacity, Utilization, Bandwidth и Efficiency.
- Capacity: вертикальное расширение памяти без роста площади на плате.
- Utilization: оптимизированная 3D-архитектура для снижения задержек.
- Bandwidth: вертикальные скоростные каналы вместо длинных горизонтальных путей данных.
- Efficiency: контроль питания и тепла на уровне отдельных битов.
Конкуренция тоже поджимает. Samsung смотрит не только на SK hynix, которая сильно укрепилась в HBM для ИИ-ускорителей. Китайская YMTC заявила цель обойти Samsung и SK hynix к концу 2027 года.
Дорожную карту раскрыли Samsung и отраслевые аналитики TrendForce; технический контекст по памяти для ИИ Samsung описывает в блоге Samsung Semiconductor. Массовое производство HBM5 компания ждёт около 2028 года, zNAND-O выйдет на сэмплинг в 2028 году, а zHBM Samsung относит к периоду после 2029 года.
