Содержание
Samsung готовит резкий разгон производства HBM4 и HBM4E: мощности по этим поколениям памяти могут вырасти с 20 000 до 50 000 пластин в месяц к 2027 году. Речь про память для AI-ускорителей, где сейчас покупают не просто гигабайты, а пропускную способность и плотность упаковки.
О планах Samsung пишет южнокорейское издание SE Daily. Компания публично не выпускала отдельный анонс с этими цифрами, поэтому аккуратно относим их к отраслевым данным. Но сами числа хорошо ложатся на рыночную картину: спрос на HBM растёт вместе с поставками ускорителей для нейросетей.
Samsung наращивает HBM4 через заказы на материалы
SE Daily оценивает будущий выпуск через заказы на стеклянные носители. Это временные панели, которые кладут поверх тонких DRAM-пластин, чтобы те не коробились и не ломались перед упаковкой.
Для HBM это не мелочь из производственного цеха. Такая память собирается стопкой из тонких DRAM-кристаллов, и любые деформации бьют по выходу годных чипов. Один стеклянный носитель соответствует одной пластине, поэтому заказы на них дают грубую оценку месячного выпуска.
| Показатель | 2026 год | 2027 год |
| HBM4 и HBM4E | около 20 000 пластин в месяц | около 50 000 пластин в месяц |
| Весь выпуск HBM | около 180 000 пластин в месяц | около 250 000 пластин в месяц |
| Доля HBM4/HBM4E | не раскрыта | около 80% выпуска HBM |
Если эти оценки верны, Samsung не просто добавит мощности. Компания сместит центр тяжести с HBM3 и HBM3E на HBM4 и HBM4E. Это логичный ход: клиенты в сегменте AI-ускорителей требуют больше пропускной способности и более плотные стеки памяти.
HBM4 уже пошла в серию на 1c DRAM
HBM4 у Samsung пошла в массовое производство в феврале 2026 года. Для DRAM-кристаллов компания использует шестое поколение 10-нм класса, которое обозначает как 1c.
HBM4E пока находится на более ранней стадии. Клиентские образцы этой памяти Samsung подготовила к середине 2026 года. Обычно такие образцы нужны производителям ускорителей и серверных платформ для валидации: проверить питание, тепловой режим, упаковку и совместимость с будущими чипами.
В HBM4 меняется не только сама DRAM-часть. По сведениям SE Daily, Samsung выделила половину мощностей своего 4-нм техпроцесса SF4 под базовые кристаллы для HBM4. Базовый кристалл связывает стек памяти с остальной системой, поэтому его выпуск тоже становится узким местом.
- DRAM-узел: шестое поколение 10-нм класса 1c
- Базовый кристалл: 4-нм производство SF4
- Главные клиенты: разработчики AI-ускорителей и серверных платформ
Доля Samsung на рынке HBM выросла за год вдвое
На фоне расширения выпуска Samsung быстро отыграла позиции в HBM. Доля компании выросла примерно с 15% во втором квартале 2025 года до 33% во втором квартале 2026 года.
Для рынка памяти это серьёзный разворот. HBM долго оставалась нишевым продуктом, но бум AI-серверов сделал её одним из самых дорогих компонентов ускорителя. Производителю мало уметь выпускать DRAM: нужно собрать стек, удержать теплопакет и пройти жёсткую квалификацию у крупных клиентов.
И вот здесь цифра 250 000 пластин в месяц выглядит важнее красивых презентаций. Если Samsung действительно доведёт общий выпуск HBM до этого уровня в 2027 году, а 80% отдаст под HBM4 и HBM4E, старые поколения HBM3 и HBM3E получат заметно меньшую долю в производственном плане.
Серийное производство HBM4 Samsung начала в феврале 2026 года, а клиентские образцы HBM4E подготовила к середине 2026-го.
