Содержание
CXMT столкнулась с тяжелым стартом HBM3E: по данным южнокорейской Chosun, годными выходят только 25% стеков памяти. Проще говоря, три из четырех сборок уходят в брак.
Для обычной DRAM это звучало бы почти катастрофой. Для HBM картина сложнее. Память с вертикальной укладкой кристаллов требует зрелой упаковки, точных соединений и стабильного процесса. CXMT хорошо чувствует себя в планарной DRAM, но HBM играет по другим правилам.
Проблема CXMT уперлась в TSV и упаковку
Низкий выход HBM3E у CXMT связывают с незрелой технологией TSV, то есть вертикальных межсоединений через кремний. Именно они связывают слои DRAM в стеке и делают HBM такой быстрой и плотной памятью.
По оценке Chosun, на фронтенд-этапе CXMT получает около 30% годных заготовок. Бэкенд добавляет примерно 70% выхода уже поверх этой базы. Поэтому итоговая экономика пока выглядит болезненно: много кремния проходит часть пути, но не доходит до готового продукта.
- Samsung HBM2: около 5000 TSV на слой
- SK hynix HBM3: более 8000 TSV на слой
- CXMT HBM3E: около 3000 TSV на слой
CXMT при этом пытается собрать стандартную конфигурацию 8-Hi HBM3E, то есть стек из восьми слоев. Переход к 12-Hi, где емкость выше, пока выглядит преждевременным. Сначала компании нужно заставить стабильно работать текущую укладку.
Отставание есть, но провалом это пока не выглядит
CXMT начала риск-производство HBM3E в ограниченных партиях в конце августа 2026 года. Компания отстает примерно на два поколения от Samsung, SK hynix и Micron, которые уже двигаются к образцам HBM4E.
Но ранний этап риск-производства редко выглядит красиво. Даже Samsung, по тем же отраслевым данным, в феврале 2026 года имела около 60% выхода HBM4. Через шесть месяцев показатель вырос примерно до 80%. Это хороший пример того, как быстро упаковка может прибавить после настройки процесса.
У CXMT есть сильная база в классической DRAM. Для планарной памяти компания получает около 90% выхода годных чипов. Это всего на 2-3 процентных пункта ниже уровня Samsung на 10-нм классе техпроцесса для DDR5.
Разница в том, что HBM требует не только хороших кристаллов. Нужны точная укладка, тысячи TSV, термоконтроль и стабильная бэкенд-обработка. Ошибка в одном слое может испортить весь стек, а не один отдельный чип.
Зачем CXMT вообще лезет в HBM
HBM стала ключевой памятью для ускорителей ИИ, серверных GPU и специализированных ASIC. Обычная DDR5 дешевле и универсальнее, но она не дает такой плотности и пропускной способности рядом с вычислительным кристаллом.
Для CXMT это не только технологическая гонка за Samsung, SK hynix и Micron. Это попытка выйти в самый дорогой сегмент рынка памяти. Там каждый годный стек стоит намного больше, чем массовые DDR5-модули для настольных ПК и ноутбуков.
С потребительской точки зрения новость тоже не пустая. Чем больше производителей освоят HBM, тем мягче станет дефицит для серверного рынка. А это может снизить давление на выпуск обычной DRAM, которую покупают сборщики ПК.
Пока CXMT остается на стадии риск-производства HBM3E малыми партиями. По данным Chosun, массовый выпуск возможен только после доработки TSV и бэкенда, а отчет о 25% выхода годных стеков вышел 9 сентября 2026 года.
