Содержание
CXMT начала массовое производство памяти DRAM G5 с активной областью 11,95 нм half-pitch. Китайская компания заявляет, что новый техпроцесс даёт на 50% больше кристаллов на пластине, но по этой цифре нельзя напрямую судить о цене и уровне выхода годных чипов.
Угол тут простой: CXMT действительно сделала заметный шаг вперёд. Но цифра «12 нм» требует аккуратного чтения. В DRAM один красивый нанометр не заменяет плотность, энергопотребление, характеристики транзисторов и yield.
G5 использует quadruple-patterning для 11,95 нм half-pitch
По данным CXMT, процесс G5 уменьшил active-area half-pitch до 11,95 нм за счёт quadruple-patterning литографии. В пересчёте это даёт active-area pitch 23,9 нм, что ставит один из физических размеров рядом с продвинутыми DRAM-процессами 10-нм класса.
Но это не значит, что G5 можно честно назвать «12-нм техпроцессом» в привычном смысле. В DRAM нода давно не работает как простая линейка. Производители сравнивают не только один шаг литографии, а весь набор параметров ячейки памяти.
CXMT также говорит о DRAM-оптимизированном процессе HKMG, то есть high-K metal gate. Он сократил высоту массива core cell array до 6762 нм. Для обычного покупателя смартфона эта цифра звучит почти абстрактно. Для инженеров памяти это часть борьбы за плотность и управляемые токи утечки.
Конденсаторы 45:1 помогают уплотнить ячейку
CXMT изменила технологический маршрут и добавила новые материалы, чтобы сделать накопительные конденсаторы с соотношением глубины к ширине около 45:1. Проще говоря, конденсатор уходит в глубину в 45 раз сильнее, чем растёт в ширину, и это помогает уменьшать площадь ячейки DRAM.
В DRAM это старая инженерная битва. Чем меньше ячейка, тем сложнее сохранить заряд. Поэтому конденсатор приходится делать всё выше и тоньше, а производство становится капризнее.
На таких пропорциях растут риски при травлении и осаждении материалов. Появляются вопросы механической стабильности. А ещё завод должен выпускать не красивые образцы для слайда, а миллионы годных чипов.
Для масштаба: SK hynix ранее указывала, что при падении критических размеров DRAM ниже 10 нм соотношение сторон конденсаторов должно превысить 100:1. На этом фоне 45:1 не выглядит финальной точкой, но для массового производства CXMT это серьёзная ступень.
50% больше кристаллов — сильная заявка, но без yield
CXMT заявляет, что G5 даёт минимум на 50% больше gross dies per wafer, чем G4. Это важная метрика для себестоимости, потому что с одной кремниевой пластины выходит больше кристаллов, но она не раскрывает реальную экономику производства.
Gross dies — это все потенциальные кристаллы на пластине до отбраковки. Покупателя и производителя модулей интересуют known-good dies, то есть годные кристаллы после тестов. CXMT пока не раскрыла yield, поэтому цену за бит посчитать нельзя.
Сравнение с Micron, Samsung и SK hynix тоже остаётся неполным. У конкурентов важны плотность, скорость, напряжение, стабильность и процент годных чипов. Один размер active-area half-pitch не доказывает полный паритет с их последними DRAM-процессами.
- Техпроцесс: G5, пятое поколение DRAM у CXMT
- Active-area half-pitch: 11,95 нм
- Active-area pitch: 23,9 нм
- Core cell array: высота 6762 нм
- Конденсаторы: соотношение глубины к ширине около 45:1
- Заявленный прирост: минимум 50% gross dies per wafer против G4
Первые массовые чипы — LPDDR5X на 24 Гбит
Первыми раскрытыми продуктами на G5 стали 24-Гбит LPDDR5X для мобильных устройств. CXMT уже запустила их в массовое производство, а китайские отчёты говорят о поставках в массовые флагманские смартфоны китайских брендов.
Ёмкость выросла на 50% относительно сопоставимых продуктов предыдущего поколения CXMT. Компания предлагает чипы в двух вариантах корпуса. Это нужно производителям смартфонов с разной компоновкой платы и требованиями к толщине устройства.
Для рынка смартфонов 24 Гбит на кристалл — удобная цифра. Производитель может собирать пакеты памяти большей ёмкости без резкого усложнения конструкции. Но конечные конфигурации зависят уже от конкретного аппарата, контроллера и упаковки.
Главное ограничение новости остаётся техническим, а не маркетинговым: CXMT раскрыла 11,95 нм half-pitch, 6762 нм высоты массива и 45:1 для конденсаторов, но не назвала yield, энергопотребление и фактическую себестоимость одного годного бита.
