Содержание
В Бельгии расследуют дело о возможной краже секретов GaN-чипов: 52-летнего бельгийца китайского происхождения задержали по подозрению в передаче технологий компании BelGaN в Китай.
По данным AP News, федеральная прокуратура Бельгии раскрыла детали дела 7 сентября. Самого подозреваемого задержали раньше — 10 мая в аэропорту Брюсселя, когда он пытался вылететь в Китай.
Следствие связывает BelGaN и китайскую GanKool
Подозреваемый, которого бельгийские медиа называют только инициалами H.L., работал старшим исследователем в BelGaN. Компания занималась полупроводниками на нитриде галлия, или GaN, и закрылась после банкротства летом 2024 года.
Прокуратура считает, что H.L. параллельно руководил китайской компанией GanKool. По версии следствия, она разрабатывала ту же специализированную технологию GaN-чипов, которой занималась BelGaN.
В хронологии дела есть важная деталь. GanKool основали через несколько месяцев после того, как H.L. пришёл в BelGaN. Финансирование компания получила от китайского инвестиционного фонда.
- Промышленный шпионаж: предполагаемая передача коммерческих секретов и интеллектуальной собственности.
- Участие в преступной организации: версия следствия о согласованных действиях нескольких лиц.
- Злоупотребление активами компании: возможное использование ресурсов BelGaN не в её интересах.
- Незаконное раскрытие бизнес-секретов: передача закрытой технологической информации.
Расследование началось после банкротства BelGaN
Дело выросло не из громкой операции спецслужб, а из финансовой проверки после краха BelGaN. Когда компания обанкротилась летом 2024 года, бельгийские власти начали стандартный разбор её отчётности и управления.
Дальше следователи нашли корпоративные действия, которые сочли необычными. По версии прокуратуры, часть менеджмента и исследователь могли не спасать BelGaN, а вести компанию к исчезновению после передачи её знаний.
Следствие также нашло связь между последним CEO BelGaN и китайским конкурентом. Руководитель компании — гражданин Китая. Прокуратура заявила о втором подозреваемом, который пока остаётся на свободе. Бельгийские медиа предполагают, что речь может идти именно о бывшем CEO, но официально это не подтверждено.
Почему вокруг GaN столько внимания
GaN-полупроводники ценят в силовой электронике, радиочастотных компонентах и быстрых зарядках. Нитрид галлия выдерживает высокие напряжения и температуры лучше классического кремния в ряде задач.
Для обычного пользователя GaN чаще всего виден в компактных зарядных устройствах для ноутбуков и смартфонов. Но на уровне промышленности это уже история про энергетику, связь, электромобили и оборудование, где КПД и нагрев решают деньги.
Поэтому споры вокруг интеллектуальной собственности в полупроводниках становятся жёстче. Китай снижает зависимость от зарубежных чипов и производственного оборудования. США ограничивают доступ Китая к передовым процессорам и части станков для выпуска микросхем.
На этом фоне дело BelGaN выглядит не одиночным эпизодом, а частью общей гонки за технологическими рецептами. В августе южнокорейские судебные документы описали схему вокруг памяти DRAM Samsung. Там фигурировал план Project Hefei и технологическая карта из 620 шагов. Бывший инженер Samsung уже получил семь лет тюрьмы по этому делу.
Бельгийская прокуратура раскрыла детали дела BelGaN 7 сентября. Задержание H.L. произошло 10 мая в аэропорту Брюсселя, второй подозреваемый, по данным прокуратуры, пока не задержан.
