Следующее поколение оперативной памяти DDR6 предложит десятикратное увеличение пропускной способности по сравнению с памятью предыдущего поколения DDR4. Об этом говорится в презентации компании Synopsys, которая занимается производством контроллеров памяти и ряда других компонентов. Первоначальный проект спецификации DDR6 у организации JEDEC должен быть готов уже в нынешнем году. Версия спецификации 1.0 ожидается в середине 2025 года.
Скорость передачи данных у DDR6 составляет минимум DDR6-8800 и достигает DDR6-17600 в памяти первого поколения. Дальнейшие поколения поднимут это значение до DDR6-21333 (21 Гбит/с). Это в 10 раз превышает пропускную способность памяти DDR4-2133, представленную без малого 10 лет назад вместе с процессорами Intel Skylake.
Также презентация рассказывает о типе памяти LPDDR6 для лёгких и тонких компьютеров и смартфонов. Данная память отличается пониженным энергопотреблением. У неё начальная скорость передачи данных будет составлять LPDDR6-10667 по 24-битному каналу с двумя 12-битными подканалами. Максимум должен достигать LPDDR6-14400 (14466 МТ/с).
Кроме повышения пропускной способности у новых типов памяти должны быть предложены новые функции безопасности и энергоэффективности. В частности, должен уменьшиться расход энергии в режиме ожидания.
