Следующее поколение памяти V-NAND от Samsung с 400 слоями сможет хранить больше данных и обеспечит повышенную надёжность для передовых решений хранения. Месяц назад компания Samsung начала массовое производство V-NAND QLC 9-го поколения, которое нацелено на повышение производительности, ёмкости и надёжности в новых поколениях хранилищ данных. Недавняя статья издания Korean Economic Daily рассказала, что Samsung планирует ещё больше увеличить производительность с помощью будущей технологии V-NAND.
Сообщается, что компания выпустит новое поколение V-NAND в 2026 году. Это будет V-NAND 10-го поколения. В её конфигурации планируется 400 слоёв, что на 120 слоёв больше по сравнению с текущим 9-м поколением V-NAND. Это рост на 43% за одно поколение, что значительно превышает разницу между 8-м и 9-м поколениями V-NAND (236 против 280 слоёв).
Для достижения столь большого количества слоёв Samsung будет использовать технологию вертикального соединения (Bonding Vertical, BV) NAND, которая отличается от текущего дизайна CoP (Circuit on Periphery). В дизайне CoP периферийные схемы располагаются над стеком памяти, тогда как метод вертикального соединения предполагает отдельное производство ячеек хранения и периферийных схем, которые затем соединяются вертикально.
Это не только позволит Samsung увеличить ёмкость, но и снизит повреждения цепей при укладке слоёв. Сообщается, что технология вертикального соединения будет похожа на Xtacking от YMTC и CBA (CMOS Bonded Array) от Kioxia-Western Digital. Благодаря этому методу можно достичь почти 60%-го увеличения плотности битов, что значительно увеличит ёмкость накопителей при сохранении прежних габаритов.
Samsung на этом не останавливается. Компания планирует достигнуть 1000 слоёв V-NAND, хотя это, скорее всего, произойдёт не раньше 2027 года. Вероятно, этот результат будет достигнут с помощью V-NAND 11-го поколения, что увеличит количество слоёв в 2,5 раза и повысит скорость ввода-вывода до 50%.
В сегменте D-RAM Samsung планирует выпустить более быструю и улучшенную D-RAM в 2027 году. Она будет основываться на технологии 0a нм (<10 нм) и использовать технологию VCT (Vertical Channel Transistor), что позволит увеличить ёмкость модулей D-RAM. С помощью VCT Samsung сможет разрабатывать 3D DRAM, размещая транзисторы вертикально, что снизит помехи от соседних ячеек.
Разработка нового поколения D-RAM начнётся с DRAM на базе 1c нм в 2025 году, 1d нм — в 2026 году и 0a нм D-RAM — в 2027 году.
