Компания Samsung объявила о начале промышленного производства чипов оперативной памяти DDR5 на техпроцессе 14 нм EUV. Память будет предназначаться для серверов HPC и ИИ с производительностью вдвое выше по сравнению с DDR4.
Увеличить скорость Samsung обещает за счёт техпроцесса 14 нм. Сейчас скорость памяти достигает 7,2 Гбит/с против 3,2 Гбит/с у DDR4. Samsung собирается расширять своё предложение памяти 14 нм DDR5 для центров обработки данных, суперкомпьютеров и корпоративных серверных приложений. Она будет повышать плотность памяти на основе чипов DRAM 24 ГБ. Это позволит нарастить память DDR5 с 512 ГБ – 1 ТБ до 768 ГБ и 1,5 ТБ. Количество слоёв EUV увеличилось до пяти.
Оперативная память переходит на техпроцесс 10 нм и технология EUV получает всё более важную роль при повышении точности формирования схем. Сейчас производительность пластины удалось увеличить примерно на 20%. Настолько же по сравнению с предыдущим поколением уменьшится энергопотребление.
Источник: Wccftech
