Samsung Electronics в среду представила чипы памяти Graphics Double Data Rate 7, более известную под названием GDDR7. Компания обещает рекордную скорость и эффективность. Партнёры Samsung получат чипы для тестирования до конца года.
Производитель утверждает, что модули новой памяти (16 Гбит или 2 ГБ на чип) получили повышенную на 40% пропускную способность, предлагая 1,5 ТБ/с и 32 Гбит/с на контакт. Представленная в прошлом году GDDR6 имеет скорость 1,1 ТБ/с.
Прирост производительности достигнут за счёт метода сигнализации с импульсно-амплитудной модуляцией-3 (PAM3) вместо невозврата к нулю (NRZ) предыдущего поколения. Samsung считает, что PAM3 передает на 50% больше данных за тот же сигнальный цикл.
Эта память расходует меньше энергии, её энергоэффективность выросла на 20% за счёт оптимизации под высокоскоростные операции. Производители смогут ставить в ноутбуки и планшеты низковольтную память, хотя точное значение напряжения названо не было.
Эпоксидный формовочный компаунд (EMC) с высокой теплопроводностью призван улучшить рассеивание тепла и повысить стабильность работы в процессе скоростных операций. Чипы памяти GDDR6 являются достаточно горячими, но GDDR7 имеют тепловое сопротивление корпуса на 70% ниже.